[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210572550.1
• 申請(qǐng)日: 2012-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN103904190A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴志成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62;H01L21/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟：

步驟一，提供共晶焊接設(shè)備，該共晶焊接設(shè)備包括烘烤裝置、設(shè)置于烘烤裝置內(nèi)的支撐臺(tái)及吸嘴，提供電阻測(cè)量?jī)x，該電阻測(cè)量?jī)x包括電阻探針、恒流電源及配套電腦，其中所述電阻探針容置于所述吸嘴內(nèi)；

步驟二，提供發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的頂部及底部?jī)蓚?cè)分別設(shè)有電極；

步驟三，提供基板承載于共晶焊接設(shè)備的支撐臺(tái)上；

步驟四，通過吸嘴吸取并攜帶發(fā)光二極管芯片至與基板的頂面緊密貼合；

步驟五，所述烘烤裝置對(duì)發(fā)光二極管芯片及基板進(jìn)行烘烤使得該發(fā)光二極管芯片與基板之間發(fā)生共晶焊接過程；

步驟六，所述電阻測(cè)量?jī)x的電阻探針與該發(fā)光二極管芯片的電極接合，使得電阻測(cè)量?jī)x與發(fā)光二極管芯片及基板電導(dǎo)通并測(cè)量光二極管芯片與基板的電阻值，所述電阻測(cè)量?jī)x的配套電腦實(shí)時(shí)記錄所測(cè)得的電阻值，當(dāng)該測(cè)得的電阻值與預(yù)設(shè)的電阻值一致時(shí)，所述共晶焊接設(shè)備完成對(duì)發(fā)光二極管芯片與基板之間的共晶焊接過程。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述發(fā)光二極管芯片的底面上進(jìn)一步鍍有第一金屬層。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述第一金屬層的材質(zhì)是Au、Sn、In、Al、Ag、Bi、Be、Cu或其合金。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述基板的頂面上進(jìn)一步鍍有第二金屬層。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述第二金屬層的材質(zhì)是Au、Sn、In、Al、Ag、Bi、Be、Cu或其合金。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述支撐臺(tái)固定于一傳送帶上，以實(shí)現(xiàn)流水線作業(yè)。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述電阻探針上加設(shè)有自動(dòng)傳感裝置，當(dāng)電阻探針接近發(fā)光二極管芯片時(shí)實(shí)行自動(dòng)減速。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述電阻探針的材質(zhì)為碳化鎢、鋼或合金。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述基板的材質(zhì)為硅、鋁或銅。

10.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基板、設(shè)置于基板上的發(fā)光二極管芯片及形成于發(fā)光二極管芯片與基板之間的共晶金屬層，其特征在于：所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)由如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法所制造。