[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201210572034.9 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN103904238A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 王茹;黃曉慶 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子器件領域,特別是涉及有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(Organic?Light-Emitting?Diode,OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在銦錫氧化物(Indium?Tin?Oxides,ITO)玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層,發光層上方有一層低功函數的金屬電極。其發光機理和過程是從陰、陽兩極分別注入電子和空穴,被注入的電子和空穴在有機層內傳輸,并在發光層內復合,從而激發發光層分子產生單態激子,單態激子輻射衰減而發光。
OLED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點,被業內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術,OLED技術在過去的十多年里發展迅猛,取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發,大大的推動了OLED的產業化進程,使得OLED產業的成長速度驚人,目前已經到達了大規模量產的前沿。
但是,由于外部水、氧等活性物質對有機電致發光器件的侵蝕,導致有機功能材料失效及電極性能的下降,所以目前有機電致發光器件普遍存在壽命短的缺陷,若使有機電致發光器件達到足夠的使用壽命,最為關鍵的就是對器件進行有效的封裝,因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。
發明內容
基于此,有必要提供一種防水、氧能力強的有機電致發光器件及其制備方法。
一種有機電致發光器件,包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層,在所述陰極層上交替蒸鍍至少一層有機阻擋層和一層無機阻擋層;所述有機阻擋層的材質為酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉,所述無機阻擋層的材質為摻雜10~30wt%金屬酞菁化合物的氟化物組成的混合物。
在其中一個實施例中,所述有機電致發光器件還封裝有PET膜;所述有機電致發光器件封裝在所述PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜和所述陽極基底內。
在其中一個實施例中,所述有機阻擋層和無機阻擋層均為4-6層;每層所述有機阻擋層和每層所述無機阻擋層的厚度均為200~300nm。
在其中一個實施例中,所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳,所述氟化物為LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2。
在其中一個實施例中,所述有機阻擋層的材質為CuPc,所述無機阻擋層的材質為摻雜20wt%CuPc的LiF組成的混合物。
在其中一個實施例中,所述陰極層為三明治結構,兩個外層的材質為ZnS,中間層的材質為Ag,每個所述外層的厚度為30nm,所述中間層的厚度為10nm。
在其中一個實施例中,所述空穴注入層的材質為摻雜30wt%MoO3的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺,所述空穴注入層的厚度為10nm;所述空穴傳輸層的材質為4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺,所述空穴傳輸層的厚度為30nm;所述發光層的材質為摻雜5wt%三(2-苯基吡啶)合銥的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯,所述發光層的厚度20nm;所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉,所述電子傳輸層的厚度為10nm;所述電子注入層的材質為摻雜30wt%CsN3的4,7-二苯基-1,10-菲羅啉,所述電子注入層的厚度為20nm。
上述有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
(1)、在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層;
(2)、在所述陰極層上真空蒸鍍有機阻擋層;其中,所述有機阻擋層的材質為CuPc、NPB、Alq3、m-MTDATA或BCP;
(3)、把步驟(2)制得的樣品、氟化物和氧化物一同放入真空蒸鍍設備中,在所述有機阻擋層上共蒸制備無機阻擋層;其中,所述無機阻擋層的材質為摻雜10-30wt%金屬酞菁化合物的氟化物組成的混合物;
(4)、多次交替重復步驟(2)和步驟(3);
待上述工藝步驟結束后,得到有機電致發光器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





