[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201210572034.9 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN103904238A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 王茹;黃曉慶 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層,其特征在于,在所述陰極層上交替蒸鍍至少一層有機阻擋層和一層無機阻擋層;所述有機阻擋層的材質為酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉,所述無機阻擋層的材質為摻雜10~30wt%金屬酞菁化合物的氟化物組成的混合物。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述有機電致發光器件還封裝有PET膜;所述有機電致發光器件封裝在所述PET膜和所述陽極基底內。
3.根據權利要求1或2所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述有機阻擋層和無機阻擋層均為4-6層;每層所述有機阻擋層和每層所述無機阻擋層的厚度均為200~300nm。
4.根據權利要求1或2所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳,所述氟化物為LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述陰極層為三明治結構,兩個外層的材質為ZnS,中間層的材質為Ag,每個所述外層的厚度為30nm,所述內層的厚度為10nm。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴注入層的材質為摻雜30wt%MoO3的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺,所述空穴注入層的厚度為10nm;所述空穴傳輸層的材質為4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺,所述空穴傳輸層的厚度為30nm;所述發光層的材料為摻雜5wt%三(2-苯基吡啶)合銥的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯,所述發光層的厚度為20nm;所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉,所述電子傳輸層的厚度為10nm;所述電子注入層的材質為摻雜30wt%CsN3的4,7-二苯基-1,10-菲羅啉,所述電子注入層的厚度為20nm。
7.一種權利要求1~6任一所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)、在陽極基底的陽極層表面依次層疊蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層;
(2)、在所述陰極層上真空蒸鍍有機阻擋層,所述有機阻擋層的材質為CuPc、NPB、Alq3、m-MTDATA或BCP;
(3)、把步驟(2)制得樣品、金屬酞菁化合物以及氟化物放入真空蒸鍍設備中,采用共蒸的方式在所述有機阻擋層上蒸鍍無機阻擋層,所述無機阻擋層的材質為摻雜10-30wt%金屬酞菁化合物的氟化物組成的混合物;
(4)、多次交替重復步驟(2)和步驟(3);
待上述工藝步驟結束后,得到有機電致發光器件。
8.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,步驟(2)所述真空蒸鍍中,真空度為1×10-5Pa-1×10-3Pa,蒸鍍速度為
9.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,步驟(3)所述共蒸中,真空度為1×10-5Pa-1×10-3Pa,蒸鍍速度為
10.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,還包括封裝步驟:在PET膜邊緣涂布封裝膠,采用λ=365nm的UV光進行固化,光強為15~25mW/cm2,曝光時間300~400s,將所述有機電致發光器件封裝在所述PET膜與所述陽極基底內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





