[發明專利]透明有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201210572033.4
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103904237A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王茹;黃曉慶

技術領域

本發明涉及電子器件相關的技術領域，特別是涉及一種透明有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件（OLED）是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層，發光層上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時，發光層就產生光輻射。

OLED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點，被業內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術，OLED技術在過去的十多年里發展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發，大大的推動了OLED的產業化進程，使得OLED產業的成長速度驚人，目前已經到達了大規模量產的前夜。

有機電致發光器件目前普遍存在壽命短，因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。本發明的主要目的在于提供一種透明有機電致發光器件的封裝方法，該技術工藝簡單，防水氧能力強，對OLED器件的壽命有顯著的提高。

發明內容

基于此，本發明的目的是提供一種透明有機電致發光器件。

具體的技術方案如下：

一種透明有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上交替涂覆至少一層有機阻擋層和一層有機無機摻雜層；所述有機無機摻雜層的材質為摻雜10-30wt%酞菁化合物的硫化物組成的混合物；所述有機阻擋層的材質為酞菁銅、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－鄰菲羅啉。

在其中一些實施例中，所述有機阻擋層和有機無機摻雜層分別為4-6層；所述有機阻擋層的厚度為200nm～300nm；所述有機無機摻雜層的厚度為100nm～200nm。

在其中一些實施例中，所述酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳；所述硫化物為CdS、PbS、FeS₂、CuS、ZnS或NiS。

在其中一些實施例中，所述空穴注入層的材質為摻雜30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺，厚度為10nm；所述空穴傳輸層的材質為4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，厚度為30nm；所述發光層的材質為摻雜5wt%三（2-苯基吡啶）合銥的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，厚度為20nm；所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉，厚度為10nm；所述電子注入層的材質為摻雜30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲羅啉（Bphen），厚度為20nm。

在其中一些實施例中，所述陽極基底為ITO玻璃基板，厚度為100nm；所述陰極層為三明治結構，外層的材質為ZnS，中間層的材質為Ag，其中，外層的厚度均為30nm，中間層的厚度為10nm。

在其中一些實施例中，所述透明有機電致發光器件還封裝有PET膜；所述透明有機電致發光器件封裝于所述PET膜和所述陽極基底內。

本發明還提供上述透明有機電致發光器件的制備方法。

具體的技術方案如下：

上述透明有機電致發光器件的制備方法，包括如下步驟：

（1）在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；

（2）采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備有機阻擋層，所述有機阻擋層的材質為酞菁銅、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－鄰菲羅啉，即得有機阻擋層；

（3）將步驟（2）制得的樣品、硫化物和酞菁化合物放入蒸鍍設備中，在有機阻擋層上共蒸蒸鍍制備得到有機無機摻雜層，所述有機無機摻雜層的材質為摻雜10-30wt%酞菁化合物的硫化物組成的混合物；

交替重復步驟（2）和（3）4-6次，即得所述透明有機電致發光器件。

在其中一些實施例中，所述步驟（2）中真空蒸鍍的真空度為1×10^-3Pa～1×10^-5Pa，蒸鍍速度為