[發明專利]透明有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201210572033.4 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN103904237A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 王茹;黃曉慶 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種透明有機電致發光器件,包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層,其特征在于,在所述陰極層上交替涂覆至少一層有機阻擋層和一層有機無機摻雜層;所述有機無機摻雜層的材質為摻雜10-30wt%酞菁化合物的硫化物組成的混合物;所述有機阻擋層的材質為酞菁銅、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉。
2.根據權利要求1所述的透明有機電致發光器件,其特征在于,所述有機阻擋層和有機無機摻雜層分別為4-6層;所述有機阻擋層的厚度為200nm~300nm;所述有機無機摻雜層的厚度為100nm~200nm。
3.根據權利要求1或2所述的透明有機電致發光器件,其特征在于,所述酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳;所述硫化物為CdS、PbS、FeS2、CuS、ZnS或NiS。
4.根據權利要求1或2所述的透明有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴注入層的材質為摻雜30wt%MoO3的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺,所述空穴注入層的厚度為10nm;所述空穴傳輸層的材質為4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺,所述空穴傳輸層的厚度為30nm;所述發光層的材質為摻雜5wt%三(2-苯基吡啶)合銥的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯,所述發光層的厚度為20nm;所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉,所述電子傳輸層的厚度為10nm;所述電子注入層的材質為摻雜30wt%CsN3的4,7-二苯基-1,10-菲羅啉,所述電子注入層的厚度為20nm。
5.根據權利要求1或2所述的透明有機電致發光器件,其特征在于,所述陽極基底為ITO玻璃,厚度為100nm;所述陰極層為三明治結構,外層的材質為ZnS,中間層的材質為Ag,其中,外層的厚度均為30nm,中間層的厚度為10nm。
6.根據權利要求1或2所述的透明有機電致發光器件,其特征在于,所述透明有機電致發光器件還封裝有PET膜;所述透明有機電致發光器件封裝于所述PET膜和所述陽極基底內。
7.一種權利要求1-6任一項所述的透明有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層;
(2)采用真空蒸鍍的方式在陰極層上制備有機阻擋層,其中,所述有機阻擋層的材質為酞菁銅、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉;
(3)將步驟(2)制得的樣品、硫化物和酞菁化合物放入蒸鍍設備中,在有機阻擋層上共蒸蒸鍍制備得到有機無機摻雜層,所述有機無機摻雜層的材質為摻雜10-30wt%酞菁化合物的硫化物組成的混合物;
交替重復步驟(2)和(3)4-6次,得到透明有機電致發光器件。
8.根據權利要求7所述的透明有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中真空蒸鍍的真空度為1×10-3Pa~1×10-5Pa,蒸鍍速度為
9.根據權利要求7所述的透明有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中真空蒸鍍的真空度為1×10-3Pa~1×10-5Pa,蒸鍍速度為
10.根據權利要求7-9任一項所述的透明有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述透明有機電致發光器件還封裝有PET膜;在所述PET膜邊緣涂布封裝膠,用光波長為365nm的UV光進行固化,UV光強15~25mW/cm2,曝光時間300~400s,將所述有機電致發光器件封裝于所述PET膜和所述陽極基底內。
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