[發明專利]激光激發CVD鍍膜設備

有效

• 申請號: 201210571822.6
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103060777A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 王奉瑾
• 申請（專利權）人: 王奉瑾
• 主分類號: C23C16/48
• 分類號: C23C16/48
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明屬于化學氣相沉積（CVD）技術領域，尤其涉及一種激光激發CVD鍍膜設備。

背景技術

化學氣相沉積（英文：Chemical?Vapor?Deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD制程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前驅物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔中。

化學氣相沉積技術已在鍍膜領域廣泛運用，現有技術中，工作氣體的加熱方式一般都是使用紅外加熱氣體或加熱待鍍膜材料的方式促進氣體的化學反應，使用紅外加熱氣體的方式效率低，所鍍出來的膜厚也不均勻，鍍膜表面粗糙，而加熱待鍍膜材料的方式容易損壞材料。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術之缺陷，提供了一種鍍膜效率高、不易損壞待鍍膜材料的激光激發CVD鍍膜設備，該設備所鍍的膜厚均勻、鍍膜表面光滑。

本發明是這樣實現的，一種激光激發CVD鍍膜設備，包括殼體，該殼體具有密封的CVD腔體，所述CVD腔體內安裝有用于噴出工作氣體的噴氣裝置和用于將激光源聚焦于噴氣裝置噴嘴前端的激光聚焦裝置，待鍍膜材料位于所述噴氣裝置的噴嘴前端并與之相對。

進一步地，所述CVD腔體內安裝有用于驅動所述噴氣裝置沿所述待鍍膜材料表面平行移動的移動裝置。

更進一步地，所述噴氣裝置包括具有所述噴嘴的噴氣架，所述激光聚焦裝置包括聚焦激光源的聚焦頭及用于接駁光纖的光纖接駁管，所述聚焦頭與所述光纖接駁管連接，所述噴氣架設有引入工作氣體的進氣口及用于安裝所述聚焦頭的聚焦頭安裝孔。

具體地，所述噴嘴為細縫狀，所述聚焦頭安裝孔均勻地并排設于所述噴嘴兩側。

優選地，所述噴氣架設有用于固定所述光纖接駁管的固定槽。

特別地，所述移動裝置包括具有螺紋的絲桿及驅動該絲桿轉動的第一電機，所述噴氣架開設有與所述絲桿的螺紋適配的螺孔，所述絲桿穿設于所述螺孔內。

進一步地，所述殼體開設有供所述待鍍膜材料進入所述CVD腔體的進料口，所述殼體還開設有供所述待鍍膜材料離開所述CVD腔體的出料口，所述進料口與所述出料口相對設置且均安裝有密封裝置。

更進一步地，所述密封裝置包括彈性按壓于所述待鍍膜材料一面的第一滾筒及彈性按壓于所述待鍍膜材料另一面的第二滾筒。

具體地，所述密封裝置還包括驅動所述第一滾筒或所述第二滾筒轉動的第二電機。

優選地，所述CVD腔體內安裝有水冷散熱裝置、用于檢測待鍍膜材料上鍍膜厚度的膜厚監控裝置、用于監控所述CVD腔體內部環境的視頻監控裝置、加熱裝置以及測溫裝置。

本發明鍍膜時，激光聚焦裝置將激光源聚焦于噴氣裝置噴嘴前端形成聚焦區域，噴嘴噴出的工作氣體在聚焦區域被激光激發加熱分解，被分解的工作氣體由于慣性擊打并粘附于待鍍膜材料表面上形成鍍膜。由于本發明采用激光聚焦的方式對工作氣體進行加熱激發，其鍍膜效率高、不易損壞待鍍膜材料、所鍍的膜厚均勻、鍍膜表面光滑。

附圖說明

圖1為本發明實施例中激光激發CVD鍍膜設備的立體示意圖；

圖2為本發明實施例中激光激發CVD鍍膜設備的內部示意圖；

圖3為圖1中A-A的剖視圖，即本發明實施例中激光激發CVD鍍膜設備后視剖視圖；

圖4為本發明實施例中密封裝置的結構示意圖；

圖5為本發明實施例中安裝有激光聚焦裝置的噴氣裝置立體示意圖；

圖6為本發明實施例中噴氣裝置的立體示意圖；

圖7為本發明實施例中噴氣裝置另一視角的立體示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。