[發(fā)明專利]激光激發(fā)CVD鍍膜設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210571822.6 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN103060777A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王奉瑾 | 申請(專利權)人: | 王奉瑾 |
| 主分類號: | C23C16/48 | 分類號: | C23C16/48 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 528400 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 激發(fā) cvd 鍍膜 設備 | ||
1.一種激光激發(fā)CVD鍍膜設備,包括殼體,該殼體具有密封的CVD腔體,其特征在于:所述CVD腔體內(nèi)安裝有用于噴出工作氣體的噴氣裝置和用于將激光源聚焦于噴氣裝置噴嘴前端的激光聚焦裝置,待鍍膜材料位于所述噴氣裝置的噴嘴前端并與之相對。
2.如權利要求1所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述CVD腔體內(nèi)安裝有用于驅動所述噴氣裝置沿所述待鍍膜材料表面平行移動的移動裝置。
3.如權利要求2所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述噴氣裝置包括具有所述噴嘴的噴氣架,所述激光聚焦裝置包括聚焦激光源的聚焦頭及用于接駁光纖的光纖接駁管,所述聚焦頭與所述光纖接駁管連接,所述噴氣架設有引入工作氣體的進氣口及用于安裝所述聚焦頭的聚焦頭安裝孔。
4.如權利要求3所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述噴嘴為細縫狀,所述聚焦頭安裝孔均勻地并排設于所述噴嘴兩側。
5.如權利要求4所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述噴氣架設有用于固定所述光纖接駁管的固定槽。
6.如權利要求3所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述移動裝置包括具有螺紋的絲桿及驅動該絲桿轉動的第一電機,所述噴氣架開設有與所述絲桿的螺紋適配的螺孔,所述絲桿穿設于所述螺孔內(nèi)。
7.如權利要求1所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述殼體開設有供所述待鍍膜材料進入所述CVD腔體的進料口,所述殼體還開設有供所述待鍍膜材料離開所述CVD腔體的出料口,所述進料口與所述出料口相對設置且均安裝有密封裝置。
8.如權利要求7所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述密封裝置包括彈性按壓于所述待鍍膜材料一面的第一滾筒及彈性按壓于所述待鍍膜材料另一面的第二滾筒。
9.如權利要求8所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述密封裝置還包括驅動所述第一滾筒或所述第二滾筒轉動的第二電機。
10.如權利要求1-9任一項所述的激光激發(fā)CVD鍍膜設備,其特征在于:所述CVD腔體內(nèi)安裝有水冷散熱裝置、用于檢測待鍍膜材料上鍍膜厚度的膜厚監(jiān)控裝置、用于監(jiān)控所述CVD腔體內(nèi)部環(huán)境的視頻監(jiān)控裝置、加熱裝置以及測溫裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





