[發(fā)明專利]采用電磁加熱的CVD設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210570492.9
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103074596A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王奉瑾
• 申請（專利權(quán)）人: 王奉瑾
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/448;C23C16/455
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的設(shè)計領(lǐng)域，尤其涉及采用電磁加熱的CVD設(shè)備。

背景技術(shù)

化學(xué)氣相沉積（英文：Chemical?Vapor?Deposition，簡稱CVD）是一種用來產(chǎn)生純度高、性能好的固態(tài)材料的化學(xué)技術(shù)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)使用此技術(shù)來成長薄膜。典型的CVD制程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前驅(qū)物下，在基底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或/及化學(xué)分解來產(chǎn)生欲沉積的薄膜。反應(yīng)過程中通常也會伴隨地產(chǎn)生不同的副產(chǎn)品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應(yīng)腔中。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)已在半導(dǎo)體鍍膜領(lǐng)域廣泛運(yùn)用，由于半導(dǎo)體鍍膜的過程需要在隔離與外界空氣接觸的狀態(tài)或接近真空的狀態(tài)下進(jìn)行。現(xiàn)有技術(shù)中，半導(dǎo)體集成制造系統(tǒng)的每一工藝流程均需在密閉的環(huán)境下進(jìn)行，當(dāng)完成一工藝流程后，需將半導(dǎo)體半成本取出，以進(jìn)行下一步的工藝處理，但其對取出后的空間真空度要求較高，因此造成半導(dǎo)體集成制造設(shè)備制造困難，廠房的規(guī)模巨大。廠家投資建廠一方面需承擔(dān)前期大量的資金投入，另一方面通常建設(shè)一半導(dǎo)體集成制造系統(tǒng)需要數(shù)年的時間，可見目前建設(shè)一半導(dǎo)體集成制造系統(tǒng)資金投入量大且時間久，且容易造成廠家資金周轉(zhuǎn)的困難。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，旨在提供采用電磁加熱的CVD設(shè)備以實現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的CVD鍍膜設(shè)備實現(xiàn)模塊化和微型化設(shè)計，從而降低CVD鍍膜設(shè)備的制造成本。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，采用電磁加熱的CVD設(shè)備，包括一殼體，所述殼體橫向兩側(cè)分別設(shè)有供放置待鍍材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體內(nèi)入口和出口處分別設(shè)有動態(tài)夾持所述傳輸帶并帶動其移動的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設(shè)于傳輸帶上側(cè)的上滾筒和貼設(shè)于傳輸帶下側(cè)的下滾筒，所述殼體上還設(shè)有驅(qū)動所述滾筒組運(yùn)轉(zhuǎn)的第一伺服電機(jī)；所述殼體上開設(shè)有供惰性氣體進(jìn)入的進(jìn)氣口和離開的排氣口，所述下腔內(nèi)設(shè)有移動的電磁混合裝置，所述電磁混合裝置具有一朝向所述傳輸帶并噴射工作氣體的噴氣嘴。

具體地，所述下腔內(nèi)設(shè)有一轉(zhuǎn)動的絲桿，所述電磁混合裝置設(shè)有與所述絲桿適配的螺紋孔，所述電磁混合裝置由所述螺紋孔安裝于所述絲桿上。

具體地，所述電磁混合裝置包括具有混合腔的混合倉、包覆所述混合倉的支撐框架，所述支撐框架上設(shè)有圍繞于所述混合倉周邊的電磁感應(yīng)線圈，所述電磁感應(yīng)線圈外接交流電源。

具體地，所述混合倉包括位于底端的進(jìn)氣部、與進(jìn)氣部連接且位于頂端并形成所述混合腔的的混合部，所述進(jìn)氣部容納于所述支撐框架內(nèi)，所述進(jìn)氣部內(nèi)設(shè)有若干與所述混合部氣路連通的進(jìn)氣腔道，所述噴氣嘴設(shè)于所述混合部。

具體地，所述噴氣嘴呈長條形狹縫，所述混合部包括由所述噴氣嘴向兩側(cè)分別延伸出的兩斜向面及將所述斜向面與所述進(jìn)氣部連接的水平面，所述混合部的橫向截面呈等腰三角形；所述進(jìn)氣腔道為兩條，所述進(jìn)氣部設(shè)有由其底部向所述混合部延伸的分隔壁，兩所述進(jìn)氣腔道由所述分隔壁及所述進(jìn)氣部側(cè)壁圍合而成。

具體地，所述進(jìn)氣部的底端開設(shè)兩個連通外部進(jìn)氣設(shè)備的通孔，兩所述通孔分別與兩所述進(jìn)氣腔道連接。

具體地，所述混合部靠近所述進(jìn)氣部具有突出于所述進(jìn)氣部的突出部分。

具體地，所述電磁混合裝置還包括設(shè)于所述殼體側(cè)壁并驅(qū)動所述絲桿轉(zhuǎn)動的第二伺服電機(jī)。

具體地，各所述上滾筒和下滾筒的表面設(shè)有彈性層，各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互彈性按壓，各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙，且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間相互彈性按壓。

具體地，上述CVD設(shè)備包括控制系統(tǒng)，還包括包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)包括膜厚監(jiān)控系統(tǒng)、測溫裝置、壓力測控系統(tǒng)、視頻監(jiān)控裝置。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的采用電磁加熱的CVD設(shè)備通過采用在所述殼體與所述傳輸帶之間設(shè)置所述滾筒組，利用所述滾筒組與殼體和所述傳輸帶的密封連接關(guān)系，達(dá)到所述殼體與所述傳輸帶之間的動態(tài)密封設(shè)計；通過在所述殼體上開設(shè)有供惰性氣體進(jìn)入的進(jìn)氣口和離開的排氣口，在進(jìn)CVD鍍膜時，先使惰性氣體通過所述進(jìn)氣口進(jìn)入所述殼體內(nèi)部，同時使所述殼體內(nèi)的氣體由所述排氣口排出，如此可在所述殼體內(nèi)形成高濃度的惰性氣體，使得鍍膜過程中，避免放置于所述傳輸帶上的待鍍膜材料與空氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；同時，本發(fā)明的CVD設(shè)備采用移動的電磁混合裝置，用移動的替代固定的電磁混合裝置，可以使得整個電磁混合裝置微型化。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一優(yōu)選實施例的外部結(jié)構(gòu)示意圖；