[發明專利]采用電磁加熱的CVD設備有效
| 申請號: | 201210570492.9 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN103074596A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 王奉瑾 | 申請(專利權)人: | 王奉瑾 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/448;C23C16/455 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 528400 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 采用 電磁 加熱 cvd 設備 | ||
1.采用電磁加熱的CVD設備,包括一殼體,其特征在于:所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍膜材料的傳輸帶通過的入口和出口,且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔,所述殼體內入口和出口處分別設有動態夾持所述傳輸帶并帶動其移動的滾筒組,各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒,所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機;所述殼體上開設有供惰性氣體進入的進氣口和排出的排氣口,所述下腔內設有移動的電磁混合裝置,所述電磁混合裝置具有一朝向所述傳輸帶并噴射工作氣體的噴氣嘴。
2.根據權利要求1所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:所述下腔內設有一轉動的絲桿,所述電磁混合裝置設有與所述絲桿適配的螺紋孔,所述電磁混合裝置由所述螺紋孔安裝于所述絲桿上。
3.根據權利要求2所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:所述電磁混合裝置包括具有混合腔的混合倉、包覆所述混合倉的支撐框架,所述支撐框架上設有圍繞于所述混合倉周邊的電磁感應線圈,所述電磁感應線圈外接交流電源。
4.根據權利要求3所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:所述混合倉包括位于底端的進氣部、與進氣部連接且位于頂端并形成所述混合腔的的混合部,所述進氣部容納于所述支撐框架內,所述進氣部內設有若干與所述混合部氣路連通的進氣腔道,所述噴氣嘴設于所述混合部。
5.根據權利要求4所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:所述噴氣嘴為長條形狹縫,所述混合部包括由所述噴氣嘴向兩側分別延伸出的兩斜向面及將所述斜向面與所述進氣部連接的水平面,所述混合部的橫向截面呈等腰三角形;所述進氣腔道為兩條,所述進氣部設有由其底部向所述混合部延伸的分隔壁面,兩所述進氣腔道由所述分隔壁面及所述進氣部側壁圍合而成。
6.根據權利要求5所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:所述進氣部的底端開設兩個連通外部進氣設備的通孔,兩所述通孔分別與兩所述進氣腔道連接。
7.根據權利要求5所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:所述混合部靠近所述進氣部具有突出于所述進氣部的突出部分。
8.根據權利要求2所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:所述電磁混合裝置還包括設于所述殼體側壁并驅動所述絲桿轉動的第二伺服電機。
9.根據權利要求1所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:各所述上滾筒和下滾筒的表面設有彈性層,各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互彈性按壓,各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙,且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間相互彈性按壓。
10.根據權利要求1~9任一項所述的采用電磁加熱的CVD設備,其特征在于:包括控制系統,所述控制系統包括膜厚監控系統、測溫裝置、壓力測控系統、視頻監控裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





