[發明專利]一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝

有效

• 申請號: 201210569528.1
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103088376A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 李裕洪
• 申請（專利權）人: 江蘇省宜興電子器件總廠
• 主分類號: C25D3/56
• 分類號: C25D3/56;C25D5/54;C25D21/12
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

技術領域

本發明涉及一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，屬于半導體封裝領域。?

背景技術

?半導體陶瓷封裝外殼常規的電鍍鎳鈷工藝使用鎳的氨基磺酸鹽溶液作為電鍍液，并在該溶液中添加氨基磺酸鈷來實現電鍍鎳鈷合金鍍層。此工藝是通過調整電鍍液中的鈷鹽含量來控制鍍層中含鈷的比例，鈷鹽的一點微小變化都會引起鍍層中鈷比例的很大變化，因此需要不斷的分析溶液中鎳、鈷元素的含量，并及時補充鈷鹽來保證鍍層中鈷比例的穩定。?

發明內容

發明目的：本發明提出一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，能夠在電鍍過程中保持電鍍液中鎳離子和鈷離子的濃度比例穩定在一定的范圍內，無需在電鍍過程中不斷檢測并添加鈷鹽以維持電鍍液中鈷離子的濃度。?

技術方案：本發明采用的技術方案為一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，該工藝在電鍍鎳鈷時使用兩個電鍍電源，電源陽極分別接鎳板和鈷板，兩個電源的陰極均與陶瓷封裝外殼連接；連接鈷板的電源電流與連接鎳板的電源電流之比為鈷和鎳的電鍍速率之比的倒數；?

電鍍液成份為：

氨基磺酸鎳????????????600g/L

氨基磺酸鈷????????????17g/L

硼酸??????????????????45g/L

氯化鎳????????????????8g/L

電鍍液的pH值保持在4.0，溫度為60攝氏度。

作文本發明的進一步改進，所述鎳板與鈷板前后交錯設置，并且鎳板比鈷板更接近電鍍陰極。?

有益效果：本發明使用兩個電鍍電源，其中一個電源的陽極按照現有工藝連接鎳板，另一個電源的陽極連接鈷金屬板。在電鍍過程中，鈷板能夠不斷給電鍍液補充鈷離子，保持鈷離子濃度穩定。無需像傳統工藝那樣，不斷的檢測鈷離子含量，不足時還要向電鍍液中補充鈷的鹽溶液。?

具體實施方式

下面結合具體實施例，進一步闡明本發明，應理解這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍，在閱讀了本發明之后，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。?

本發明包括以下步驟：?

1、首先將待電鍍的陶瓷封裝外殼裝掛在電鍍掛具上，再將電鍍掛具掛裝在堿槽中進行電解除油。電解除油的溫度為50攝氏度，時間為5分鐘，電流密度為3A/d?m²。

2、進行鹽酸酸洗活化4分鐘，酸液為50%鹽酸溶液，溫度為40℃。?

3、沖擊鍍鎳進行預鍍鎳，鍍液成分：?

????氯化鎳????????????????240g/L

???????鹽酸??????????????????130ml/L

溫度??????????????????35℃

電流密度為????????????3A/dm²

時間???????????????????4分鐘

4、安裝好電鍍裝置。電鍍槽內盛有電鍍液，電鍍液成份為：

氨基磺酸鎳????????????600g/L

氨基磺酸鈷????????????17g/L

硼酸??????????????????45g/L

氯化鎳????????????????8g/L

電鍍液的pH值保持在4.0，溫度為60攝氏度。

兩組電鍍電源的正極分別接在掛裝鎳板的陽極棒上和掛裝鈷板的陽極棒上，鎳板和鈷板都做成窄條狀。兩組電源的負極則共同接在陰極棒上。待電鍍的陶瓷封裝外殼掛裝在陰極棒上。鎳板相對于鈷板更靠近陰極棒，兩者前后交錯設置。在電流密度相同的條件下，由于Ni-Co合金共沉積屬于異相共沉積，在沉積過程中Co優先沉積，因此連接鈷板的電源電流要小于連接鎳板的電源電流，兩電流的比值與Ni-Co合金鍍層中Ni、Co比例相一致。?

電流密度設置為總電流密度為0.5A/dm²：本配方Ni-Co合金鍍層中Co含量約為25%左右，因此鎳電流密度0.4A/dm²，鈷鎳電流密度0.1A/dm²，時間為60分鐘。?

5、沖擊鍍金進行預鍍金，鍍液成分：?

金??????????????????????0.9g/L

其余????????????????????市售

時間????????????????????0.5分鐘

溫度????????????????????35℃