[發明專利]液晶顯示器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210568732.1
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103293802A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 金鎮泰;南明祐;辛承穆;崔秀貞
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1339;G02F1/1333;G02F1/1335
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本申請要求于2012年2月27日提交的韓國專利申請No.10-2012-0019514的權益，在此通過引用將其并入本文，如同在這里完全闡述一樣。

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示器件，更具體地，本發明涉及一種減少掩模工序并且去掉了光敏化合物（photo?active?compound,PAC）從而提高生產率的液晶顯示器件及其制造方法。

背景技術

隨著信息化社會的發展，對各種形式的顯示器件需求增加。為了滿足這一需求，近來已對液晶顯示器（LCD）、等離子體顯示面板（PDP）、電致發光顯示器（ELD）和真空熒光顯示器（VFD）之類的平板顯示器件進行了研究。一些類型的這類平板顯示器正被實際應用于各種設備以用于顯示。

其中，因為LCD具有優異的圖像質量、亮度，輕薄和低功耗的優點，所以作為陰極射線管（CRT）的替代品目前最廣泛地用于移動圖像顯示器件中。正在對LCD的各種應用進行開發，不僅用作移動圖像顯示器件如筆記本電腦的監視器，而且作為接收廣播信號和顯示圖像的TV和膝上型電腦的監視器。這種液晶顯示器件包括設有薄膜晶體管陣列的第一基板，設有濾色器陣列的第二基板，以及在第一和第二基板之間形成的液晶層。第一基板包括由彼此交叉的柵極線和數據線限定的多個像素區，在分別提供有數據信號的各個像素區中形成的多個像素電極，和分別驅動像素電極的多個薄膜晶體管。此外，第二基板包括在每個像素區中形成的濾色器，防止漏光的黑矩陣，和保持第一基板與第二基板之間的間隙的柱形間隔物。

液晶顯示器件最普遍采用的典型的驅動模式包括扭曲向列（TN）模式和面內切換模式，在扭曲向列（TN）模式中，液晶指向矢扭曲90°定向，然后受施加的電壓控制；在面內切換模式中，通過基板上平行排列的像素電極和公共電極之間的水平電場驅動液晶。

特別地，在面內切換模式中，像素電極和公共電極是交替地形成在薄膜晶體管基板的開口中，由像素電極和公共電極之間產生的水平電場對液晶進行定向。面內切換模式LCD器件具有寬視角，但是存在低開口率和低透光率的缺點。為了解決這些缺點，提出了邊緣場切換（FFS）模式LCD器件。

FFS模式液晶顯示器件包括在像素區中形成的具有單一電極形狀的公共電極，和在公共電極上形成的狹縫形的多個像素電極，或者包括具有單一電極形狀的像素電極和狹縫形的多個公共電極，從而通過像素和公共電極之間形成的邊緣場使液晶分子工作。

下文將參考附圖來描述一種用于制造普通的邊緣場切換模式液晶顯示器件的方法。

圖1是普通的邊緣場切換模式液晶顯示器件的截面圖。圖2A到2E是圖示在圖1的液晶顯示器件中將漏極連接到像素電極的步驟的截面圖。

參考圖1，普通的邊緣場切換模式液晶顯示器件的制造方法包括利用第一掩模在第一基板10上形成柵極線（未示出），柵極10a，柵極焊盤下電極10b和數據焊盤下電極10c，利用第二掩模形成包括按順序堆疊的有源層13a和歐姆接觸層13b的半導體層13。該方法還包括利用第三掩模形成源極和漏極14a和14b，以及數據線DL，以及形成覆蓋源極和漏極14a和14b的第一和第二保護膜15a和15b。

利用第四掩模選擇性地去除第二保護膜15b，以暴露與漏極14b、柵極焊盤下電極10b和數據焊盤下電極10c對應的第一保護膜15a。此外，利用第五掩模在第二保護膜15b上形成公共電極18。將第三保護膜15c形成為覆蓋公共電極18，利用第六掩模選擇性地去除第三保護膜15c，以暴露與漏極14b、柵極焊盤下電極10b和數據焊盤下電極10c。

利用第七掩模在第三保護膜15c上形成與漏極14b連接的像素電極16a，與柵極焊盤下電極10b連接的柵極焊盤上電極16b，以及與數據焊盤下電極10c連接的數據焊盤上電極16c。盡管圖中沒有示出，在第二基板上形成有黑矩陣，R、G、B濾色器和柱形間隔物。為了執行這些步驟，總共采用12個掩模來形成普通的液晶顯示器件。因此，整個工藝復雜而且制造成本增加。

同時，普通的液晶顯示器件包括由光敏化合物（PAC）形成的第二保護膜15b，使第二保護膜15b夾在第一和第三保護膜15a和15c之間，以減小數據線DL和像素電極16a之間的數據負荷，從而降低功耗。在這一點上，一般來說由有機絕緣膜PAC形成的第二保護膜15b要比由無機絕緣膜形成的第一和第三保護膜15a和15c厚。由于這一原因，形成第二保護膜15b所需的時間要大于形成第一和第三保護膜15a和15c所需的時間，從而導致產量下降。