[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210568464.3 | 申請日: | 2012-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN103681741A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 金世埈;李晙碩;金龍哲;沈成斌 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求享有于2012年8月28日提交的韓國專利申請10-2012-0094094的優先權,在此通過援引將其全部引入本文。
技術領域
本發明涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法,更具體地說,涉及一種有源矩陣OLED(AMOLED)顯示裝置及其制造方法。
背景技術
近來,隨著信息時代的到來以及關于平板顯示裝置的研究的持續加速,繼液晶顯示裝置(LCD)之后的OLED顯示裝置作為下一代平板顯示裝置正在被積極地開發。
由于OLED顯示裝置是自發光裝置,因此OLED顯示裝置與LCD裝置不同,不需要背光,因而能夠比LCD裝置更輕和更薄。另外,OLED顯示裝置以低電壓驅動,實現的色彩接近自然色彩,并且具有高發光效率、寬視角和快響應時間。因此,OLED顯示裝置能夠生動地實現高質量的運動圖像。
OLED顯示裝置是電流驅動裝置,并且使用相比LCD裝置而言復雜的驅動電路。在通過多條柵線和數據線之間的交叉界定的多個子像素的每一個子像素中,經由柵線傳輸的柵信號施加到開關薄膜晶體管的柵極,而經由數據線傳輸的數據信號通過柵極施加到驅動薄膜晶體管。施加到驅動薄膜晶體管的柵極的數據信號允許經由電源線傳輸的驅動電流被施加到相應的子像素的陽極,由此驅動有機發光層。
如上所述,OLED顯示裝置的每個子像素包括開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管,即,基本上需要兩個或者更多的薄膜晶體管。另外,每個子像素包括復雜的補償電路,用于在期望的時間內發出期望的顏色光。
OLED顯示裝置的開口率因薄膜晶體管和補償電路之故而相當大地降低,因而發射到外面的光的強度降低,光抽取效率(extraction?efficiency)減小。
此外,從OLED顯示裝置的OLED發出的光透過多個薄膜,最終通過偏振器傳輸到外面。偏振器應用在OLED顯示裝置上,用于防止外部光的反射。發出的光由這些薄膜全反射,因而造成損失,或者在發出的光透過偏振器時至少50%的該發出的光損失掉。由于這個原因,亮度和光抽取效率減小。
發明內容
因而,本發明涉及一種OLED顯示裝置及其制造方法,其基本上克服了因現有技術的局限性和缺點而造成的一個或者多個問題。
本發明一方面旨在提供一種具有提高的光抽取效率的OLED顯示裝置及其制造方法。
本發明的其它優點和特征的一部分將在隨后的描述中加以闡述,一部分在研讀下面內容之后對本領域技術人員將會不言自明,或者可以通過對本發明的實踐而習得。本發明的目的和其它的優點可以通過在該書面的描述及其權利要求書連同附圖中所特別指出的結構來實現或者獲得。
為了實現這些和其它的優點,依照本發明的目的,如這里所具體和概括描述,提供了一種OLED顯示裝置,包括:分(segment)成多個子像素區域的基板;在每個所述子像素區域內形成的薄膜晶體管;在所述薄膜晶體管上形成的絕緣層和平坦化層;半透明反射層,所述半透明反射層在所述平坦化層上的每個子像素區域內選擇性地形成,并且包括透明層和半透明金屬層;在所述半透明反射層上形成的保護層;陽極,所述陽極在與所述保護層上的所述半透明反射層相對應的區域內形成,并且連接到所述薄膜晶體管;連接到所述陽極并且發光的有機發光層;和在所述有機發光層上形成的陰極。
本發明的另一方面提供了一種制造OLED顯示裝置的方法,包括:在基板上的多個子像素區域的每一個內形成薄膜晶體管;在所述薄膜晶體管上的每個子像素區域內選擇性地形成半透明反射層;在所述半透明反射層上形成保護層;將所述保護層圖案化以暴露所述薄膜晶體管;以及在所述圖案化的保護層上形成陽極,所述陽極被形成為至少一個導電材料層。
本發明的又一方面提供了一種制造OLED顯示裝置的方法,包括:在基板上的第一到第三子像素區域的每一個內形成薄膜晶體管;在所述薄膜晶體管上形成絕緣層;在所述絕緣層上的每個子像素區域內選擇性地形成半透明反射層;在所述半透明反射層上形成保護層;在所述保護層上并在每個子像素區域內選擇性地形成第一導電材料層;以及在所述第一導電材料層和所述保護層上形成第二導電材料層。
要理解的是,對本發明的前面的概括性描述和后面的具體描述都是示例性和解釋性的,意在對要求保護的發明提供進一步的解釋。
附圖說明
所包括的附圖提供了對本發明的進一步的理解,結合在本申請中并構成本申請的一部分,解釋了本發明的實施方式,并與說明書一起用于解釋本發明的原理。圖中:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





