[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210568464.3 | 申請日: | 2012-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN103681741A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 金世埈;李晙碩;金龍哲;沈成斌 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管顯示裝置,包括:
分成多個子像素區域的基板;
在所述子像素區域的每一個內形成的薄膜晶體管;
在所述薄膜晶體管上形成的絕緣層和平坦化層;
在所述平坦化層上的每個子像素區域內選擇性地形成的半透明反射層,所述半透明反射層包括透明層和半透明金屬層;
在所述半透明反射層上形成的保護層;
在所述保護層上與所述半透明反射層對應的區域內形成的陽極,所述陽極連接到所述薄膜晶體管;
連接到所述陽極并且發光的有機發光層;和
在所述有機發光層上形成的陰極。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其中所述半透明反射層在所述有機發光層發射光的區域內形成。
3.如權利要求2所述的顯示裝置,其中所述多個子像素區域與至少紅色、綠色、藍色和白色對應,并且
其中所述半透明反射層僅在與紅色、綠色和藍色對應的子像素區域內形成。
4.如權利要求1所述的顯示裝置,其中第一半透明反射層形成在第一子像素區域內,并且所述第一半透明反射層配置在離所述陰極第一距離內,其中所述第一距離對應于與所述第一子像素區域對應的顏色的半波長的整數倍。
5.如權利要求4所述的顯示裝置,其中第二半透明反射層形成在第二子像素區域內,并且所述第二半透明反射層配置在離所述陰極第二距離內,其中所述第二距離對應于與所述第二子像素區域對應的顏色的半波長的整數倍。
6.如權利要求5所述的顯示裝置,其中所述第一子像素區域對應于紅色,所述第二子像素區域對應于綠色,并且所述第一距離不同于所述第二距離。
7.如權利要求1所述的顯示裝置,其中所述保護層配置在所述陽極和所述半透明反射層之間,以使所述半透明反射層在形成所述陽極期間受到保護。
8.一種制造有機發光二極管顯示裝置的方法,所述方法包括:
在基板上的多個子像素區域的每一個內形成薄膜晶體管;
在所述薄膜晶體管上的每個子像素區域內選擇性地形成半透明反射層;
在所述半透明反射層上形成保護層;
將所述保護層圖案化,以暴露所述薄膜晶體管;以及
在所述圖案化的保護層上形成陽極,其中所述陽極包括至少一個導電材料層。
9.如權利要求8所述的方法,其中所述多個子像素區域對應于至少紅色、綠色、藍色和白色,并且
其中所述半透明反射層僅在與紅色、綠色和藍色對應的子像素區域內形成。
10.如權利要求8所述的方法,其中形成所述保護層包括:
在所述陽極和所述半透明反射層之間形成所述保護層以便在形成所述陽極期間保護所述半透明反射層。
11.如權利要求8所述的方法,其中形成所述陽極包括:
在所述保護層上形成導電材料層,并且
在所述導電材料層上形成一個或者多個導電材料層,其中所述一個或者多個導電材料層中之一形成為與所述薄膜晶體管相接觸。
12.如權利要求8所述的方法,其中形成所述陽極包括:
在與第一顏色對應的第一子像素區域內形成一個或者多個導電材料層,以及
在與第二顏色對應的第二子像素區域內形成一個或者多個導電材料層,
其中位于所述第一子像素區域內的所述一個或者多個導電材料層的第一厚度不同于位于所述第二子像素區域內的所述一個或者多個導電材料層的第二厚度。
13.如權利要求12所述的方法,其中所述第一顏色和所述第二顏色與紅色、綠色和藍色中的一種對應。
14.一種制造有機發光二極管顯示裝置的方法,所述方法包括:
在基板上的多個子像素區域的每一個內形成薄膜晶體管;
在所述薄膜晶體管上形成絕緣層和平坦化層;
在所述平坦化層上的每個子像素區域內選擇性地形成半透明反射層;
在所述半透明反射層上形成保護層;
在所述保護層上選擇性地形成第一導電材料層;以及
在所述第一導電材料層上選擇性地形成光刻膠層,其中所述光刻膠層在對應子像素區域內的厚度取決于所述對應子像素區域內的所述光刻膠層的曝光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





