[發明專利]一種半導體工藝的檢測方法和檢測系統

有效

• 申請號: 201210568149.0
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103903998A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 馬瑾怡;康盛;簡維廷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

對晶圓廠的整個半導體工藝流程的各個制程進行早期檢測；

根據早期檢測結果和預定分數計算所述晶圓廠的早期檢測分數EDS；

其中，所述預定分數是預設的當某一事件發生在某一制程且延遲為0時，相應的早期檢測結果的分數；在所述整個半導體工藝流程中，靠后的制程的預定分數低于靠前的制程的預定分數。

2.如權利要求1所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述整個半導體工藝流程的各個制程包括：線內制程、晶圓接受能力測試制程、最終測試制程。

3.如權利要求2所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述線內制程的預定分數為95，所述晶圓接受能力測試制程的預定分數為60，所述最終測試制程的預定分數為0。

4.如權利要求1所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述早期檢測分數EDS=預定分數-延遲時間強度的分數；其中，延遲時間強度的分數=晶圓的移動速度×延遲的時間。

5.如權利要求1所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述方法還包括以早期檢測指數EDI為參照設定早期檢測能力基準線的步驟；其中，所述早期檢測指數EDI是對所述早期檢測分數EDS進行數學運算的結果。

6.如權利要求5所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述早期檢測指數EDI與所述早期檢測分數EDS具有如下關系：

EDI=∑EDSi/n；其中，EDSi是每一事件的所述早期檢測分數，n是事件發生的數量。

7.如權利要求5所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述早期檢測指數EDI與所述早期檢測分數EDS具有如下關系：

EDI=∑(WCi*EDSi)/∑WCi；其中，EDSi是每一事件的所述早期檢測分數；WCi是每一事件中受到影響或報廢的晶圓數量。

8.如權利要求5所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述早期檢測指數EDI與所述早期檢測分數EDS具有如下關系：

EDI=∑EDSi/n+超出控制界限的比率，或者，EDI=∑(WCi*EDSi)/∑WCi+超出控制界限的比率；

其中，EDSi是每一事件的所述早期檢測分數；WCi是每一事件中受到影響或報廢的晶圓數量；n是事件發生的數量。

9.如權利要求5所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述早期檢測指數EDI與所述早期檢測分數EDS具有如下關系：

EDI=WF*∑EDSi/n+(1-WF)*∑(WCji*EDSj)/∑WCji；

其中，WF是權重因子；EDSi是與事件的類型相對應的每一事件的早期檢測分數；WCji是與事件的類型相對應的每一事件中受到影響或報廢的晶圓數量；EDSj也是與事件的類型相對應的每一事件的早期檢測分數；n是事件發生的數量。

10.如權利要求5所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述早期檢測指數EDI與所述早期檢測分數EDS具有如下關系：

EDI=WF1*∑EDSi/n+(1-WF1)*EDR；

其中，WF1是權重因子；EDSi是與事件的類型相對應的每一事件的早期檢測分數；EDR是相對的早期檢測指數；n是事件發生的數量。

11.如權利要求5所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，所述方法在所述以早期檢測能力參數EDI為參照設定早期檢測能力基準線的步驟之后，還包括：依據所述早期檢測能力基準線對所述半導體工藝流程進行改進的步驟。

12.如權利要求11所述的半導體工藝的檢測方法，其特征在于，在依據所述早期檢測能力基準線對所述半導體工藝流程進行改進的步驟之后，還包括如下步驟：對所述改進的步驟所取得的效果進行判斷；

當所述改進的步驟取得預定效果時，重新設定所述早期檢測能力基準線，并依據所述重新設定的早期檢測能力基準線對所述半導體工藝流程進行持續改進；

當所述改進的步驟未取得預定效果時，保持所述早期檢測能力基準線不變，重新依據所述早期檢測能力基準線對所述半導體工藝流程進行改善。