[發明專利]一種半導體工藝的檢測方法和檢測系統有效

申請號：	201210568149.0	申請日：	2012-12-24
公開（公告）號：	CN103903998A	公開（公告）日：	2014-07-02
發明（設計）人：	馬瑾怡;康盛;簡維廷	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號：	H01L21/66	分類號：	H01L21/66
代理公司：	北京市磐華律師事務所 11336	代理人：	董巍;高偉
地址：	201203 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種半導體工藝檢測方法系統
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種半導體工藝的檢測方法和檢測系統。

背景技術

在半導體制造領域中，大多數的芯片制造公司會持續地維護保證數據庫（warranty?databases），以盡早地檢測出各種潛在的嚴重問題。當一個嚴重的問題（也稱事件）發生時，最終將造成非常嚴重的后果，不僅嚴重影響相關產品的質量和良率，甚至可能因此失去客戶。通過采用靈敏的數據分析的方式對可能出現的嚴重問題進行早期檢測，可以提前采取行動來減輕或避免潛在問題，進而可以降低經濟成本并維持商業信譽。

在現有的IC制造中，已經有很多參數（指數）被IC晶圓廠定義，比如工藝能力檢測中的工藝能力（Cp）/工藝能力指數（Cpk），以及工藝穩定性檢測中的OCAP率等。并且，在每個工藝制程中都有很多早期檢測方法，比如，線內/線下（inline/offline）SPC、失效隔離與分析（Failure?isolation?and?analysis）、缺陷分析（defect?analysis）、低良率分析（low?yield?analysis）以及材料分析（materials?analysis），等。

目前，當一個異常事件（excursion?case）發生時，相關的業務單元將加入來分析導致這一事件（case）的原因，并設定相應的預防措施。當另一個異常事件（excursion?case）發生時，同樣的處理方式將被用來解決這一事件。以這一方式來處理單獨的事件是沒有問題的，但是，現實生產中，經常發生這樣的情況，異常總是發生在某一個晶圓廠（Fab），而另一個晶圓廠（Fab）可能卻一直表現良好和穩定。

如何對某一晶圓廠的整個半導體工藝流程進行早期檢測，現有技術中并不存在行之有效的方法。目前，并沒有一個有效的參數指標（index）可以整體上評估晶圓廠的整個半導體工藝流程的早期檢測能力（也稱預先檢測能力），使相關工作人員可以通過這一參數清楚地知曉某一晶圓廠（Fab）當前的早期檢測能力以及這一晶圓廠的薄弱之處，比如掃描工具與制造工具不成比例、采樣不充分等。因此，無法對晶圓廠的整個半導體工藝流程進行針對性改進，不利于降低生產成本。

因此，有必要提出一種新的半導體工藝的檢測方法和檢測系統，以實現對晶圓廠的整個半導體工藝流程的早期檢測。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種半導體工藝的檢測方法和檢測系統。

一方面，本發明提供一種半導體工藝的檢測方法，包括：

對晶圓廠的整個半導體工藝流程的各個制程進行早期檢測；

根據早期檢測結果和預定分數計算所述晶圓廠的早期檢測分數EDS；

其中，所述預定分數是預設的當某一事件發生在某一制程且延遲為0時，相應的早期檢測結果的分數；在所述整個半導體工藝流程中，靠后的制程的預定分數低于靠前的制程的預定分數。

進一步的，所述整個半導體工藝流程的各個制程包括：線內制程、晶圓接受能力測試制程、最終測試制程。

進一步的，所述線內制程的預定分數為95，所述晶圓接受能力測試制程的預定分數為60，所述最終測試制程的預定分數為0。

進一步的，所述早期檢測分數EDS=預定分數-延遲時間強度的分數；其中，延遲時間強度的分數=晶圓的移動速度×延遲的時間。

進一步的，所述方法還包括以早期檢測指數EDI為參照設定早期檢測能力基準線的步驟；其中，所述早期檢測指數EDI是對所述早期檢測分數EDS進行數學運算的結果。

進一步的，所述早期檢測指數EDI與所述早期檢測分數EDS可以具有如下關系：