[發明專利]形成埋入式溝槽的工藝方法

在審

• 申請號: 201210567513.1
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103903983A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 蔣玲;章宇翔;雷海波;徐云;廖炳隆;馬香柏;楊劍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.形成埋入式溝槽的工藝方法，其特征在于，在刻蝕出埋入式溝槽的形貌后，進行濕法清洗前，包括以下步驟：

1）在埋入式溝槽的底部和側壁生長線性氧化層；

2）干法回刻，去除埋入式溝槽底部的線性氧化層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1），采用快速熱氧化或者爐管氧化方法形成所述線性氧化層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，快速熱氧化過程包括三個階段：升溫，保持溫度在950℃～1000℃10分鐘，降溫冷卻。

4.根據權利要求1至3任何一項所述的方法，其特征在于，所述線性氧化層的厚度為

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述線性氧化層的厚度為

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2），刻蝕反應氣體為C?F₄。