[發(fā)明專利]一種半導體結構及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210564774.8
• 申請日: 2012-12-23
• 公開（公告）號: CN103887242A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 李迪
• 申請（專利權）人: 李迪
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體結構及其制造方法。

背景技術

EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的，因此EEPROM的應用越來越廣泛。

EEPROM采用雙層柵(二層多晶硅)結構，即在常規(guī)的MOS管的硅柵下面又增加一層多晶硅柵，這層硅柵不和外界相連，完全被絕緣層材料（比如二氧化硅，氮化硅等）和周圍隔離，這層硅柵就叫浮柵。浮柵中的電荷可以通過載流子（一般是電子）進出浮柵來改變，在控制柵加電壓，襯底中的電子在電壓的作用下經過氧化層轉移到浮柵中。浮柵中電荷數(shù)量將影響MOS管的閾值電壓，比如浮柵中有電子的注入時，對于n型MOS管來說，閾值電壓被提升。不同的閾值電壓對應于不同的存儲狀態(tài)。

隨著現(xiàn)代技術的發(fā)展，人們對存儲器容量的要求越來越高，所以存儲器密度越來越大，相應的存儲單元間的距離就變得越來越小。當此距離小到一定程度時，相鄰存儲單元間的電容耦合作用的問題就變得突出出來，這嚴重限制了存儲密度的進一步提升，所以亟需找到一個辦法來解決這個問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供了一種可以解決上述問題的半導體結構及其制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導體結構的制造方法，該方法包括以下步驟：

a)提供襯底，所述襯底包括第一方向和第二方向；

b)在所述襯底上形成柵堆疊，所述柵堆疊依次包括第一絕緣層和浮柵，沿著第二方向對浮柵進行刻蝕形成與第二方向平行的浮柵；

c)對浮柵頂部進行刻蝕，使其頂部形成分別與第一方向和第二方向平行的至少兩條相交的溝槽；

d)在浮柵上淀積形成第二絕緣層和控制柵，所述第二絕緣層和控制柵在第一方向包裹住浮柵；

e)沿著第一方向對所述浮柵向下刻蝕使得平行的浮柵切斷形成浮柵陣列；

f)在每個浮柵第二方向上的兩側形成源/漏區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種半導體結構，包括：

襯底，所述襯底包括字線方向和位線方向；

柵堆疊，位于所述襯底之上，所述柵堆疊由第一絕緣層和浮柵、第二絕緣層和控制柵從下往上依次堆疊而成；

所述浮柵頂部具有分別與字線方向和位線方向平行的至少兩條相交的溝槽；

源/漏區(qū)，在所述位線方向位于所述柵堆疊兩側的襯底中。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明在浮柵頂部形成分別與字線方向和位線方向平行的至少兩條相交的溝槽，可以加強控制柵和浮柵之間的電容耦合，而浮柵頂部在字線方向的凹狀結構可有效減小相鄰單元之間的耦合面積。通過以上方法，可以有效的降低相鄰存儲單元之間的寄生耦合效應，有利于進一步減小存儲單元間距離以及增加電路集成規(guī)模。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導體結構制造方法的流程圖；

圖2至圖19為按照圖1所示流程制造半導體結構的各個階段的示意圖；

其中，圖2、圖3、圖6、圖7、圖8、圖10、圖11、圖13、圖14、圖15為字線方向截取的剖面示意圖；

圖17、圖18、圖19為位線方向截取的剖面示意圖；

圖4、圖5、圖9、圖12、圖16為俯視圖。

具體實施方式

下面詳細描述本發(fā)明的實施例。

所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現(xiàn)本發(fā)明的不同結構。為了簡化本發(fā)明的公開，下文中對特定例子的部件和設置進行描述。當然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復參考數(shù)字和/或字母。這種重復是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設置之間的關系。此外，本發(fā)明提供的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領域普通技術人員可以意識到其他工藝的可應用性和/或其他材料的使用。