[發明專利]一種半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201210564774.8
• 申請日: 2012-12-23
• 公開（公告）號: CN103887242A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 李迪
• 申請（專利權）人: 李迪
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種半導體結構的制造方法，該方法包括以下步驟：

a)提供襯底（100），所述襯底（100）包括第一方向和第二方向；

b)在所述襯底（100）上形成柵堆疊，所述柵堆疊依次包括第一絕緣層(110)和浮柵，沿著第二方向對浮柵進行刻蝕形成與第二方向平行的浮柵；

c)對浮柵頂部進行刻蝕，使其頂部形成分別與第一方向和第二方向平行的至少兩條相交的溝槽；

d)在浮柵上淀積形成第二絕緣層（170）和控制柵（180），所述第二絕緣層（170）和控制柵（180）在第一方向包裹住浮柵；

e)沿著第一方向對所述浮柵向下刻蝕使得平行的浮柵切斷形成浮柵陣列；

f)在每個浮柵第二方向上的兩側形成源/漏區(310)。

2.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，在所述步驟b）中，在所述襯底(100)上淀積形成第一絕緣層（110）和浮柵層之后，還需在所述浮柵層之上淀積光刻膠，之后對第一絕緣層（110）和浮柵層進行圖形化刻蝕，直至未被光刻膠覆蓋的部分裸露出襯底（100）。

3.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其中在所述步驟b）中，所述浮柵的形成方法為：

在第一絕緣層（110）上依次淀積形成導電的至少第一至第三層材料層。

4.根據權利要求1-3所述的半導體結構制造方法，其中：

其中在步驟c）中，對浮柵頂部溝槽向下刻蝕進行到露出第一絕緣層（110）上的第一材料層（120）為止。

5.根據權利要求1-4中的任何一項所述的半導體結構制造方法，其中所述第一方向為字線方向，所述第二方向為位線方向。

6.一種半導體結構，包括：

襯底(100)，所述襯底（100）包括字線方向和位線方向；

柵堆疊，位于所述襯底(100)之上，所述柵堆疊由第一絕緣層（110）和浮柵、第二絕緣層（170）和控制柵（180）從下往上依次堆疊而成；

所述浮柵頂部具有分別與字線方向和位線方向平行的至少兩條相交的溝槽；

源/漏區(310)，在所述位線方向位于所述柵堆疊兩側的襯底(100)中。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中所述浮柵在第一絕緣層（110）上依次包括第一至第三層材料層。

8.根據權利要求6所述的半導體結構，其中，所述第二絕緣層（170）和控制柵（180）在字線方向覆蓋浮柵的側面。

9.根據權利要求7所述的半導體結構，其中，所述浮柵頂部的分別與字線方向和位線方向平行的至少兩條相交的溝槽停止于所述第一絕緣層（110）之上的導電的第一材料層。