[發明專利]TFT陣列基板及制作方法、顯示裝置

無效

• 申請號: 201210564622.8
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103021944A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 薛艷娜;王磊;薛海林;郭建
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786;H01L27/02
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制作包括柵極的圖案，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線；

依次形成柵絕緣層和半導體薄膜，通過一次構圖工藝，制作形成位于所述柵絕緣層上的第一過孔以及位于所述半導體薄膜上的第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔對應位置相重合，均位于所述柵極走線的上方；

形成源漏金屬層，通過一次構圖工藝，制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述通過一次構圖工藝，制作形成位于所述柵絕緣層上的第一過孔以及位于所述半導體薄膜上的第二過孔，包括：

在所述半導體薄膜上涂敷第一光刻膠層；

對所述第一光刻膠層進行曝光、顯影處理，形成位于預設置過孔區域的第一光刻膠去除部分、位于其他區域的第一光刻膠保留部分；

采用刻蝕工藝，依次去除所述第一光刻膠去除部分下方的所述半導體薄膜和所述柵絕緣層，形成所述第一過孔和所述第二過孔；

采用剝離工藝，去除所述第一光刻膠保留部分的光刻膠。

3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述通過一次構圖工藝，制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案，包括：

在所述源漏金屬層上涂敷第二光刻膠層；

對所述第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，形成位于預設置包含源漏電極圖案區域的第二光刻膠保留部分、位于薄膜晶體管溝道區域的第二光刻膠半保留部分和位于其他區域的第二光刻膠去除部分；

采用刻蝕工藝，依次去除所述第二光刻膠去除部分下方的所述源漏金屬層和所述半導體薄膜；

采用灰化工藝，去除所述第二光刻膠半保留部分的光刻膠；

采用刻蝕工藝，去除所述第二光刻膠半保留部分下方的所述源漏金屬層和部分所述半導體薄膜，形成所述包括源漏電極的圖案和所述包括有源層的圖案；

采用剝離工藝，去除所述第二光刻膠保留部分的光刻膠。

4.根據權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，在制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案之后，還包括：

制作包括第一電極的圖案。

5.根據權利要求4所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述制作包括第一電極的圖案之后，還包括：

制作鈍化層的圖案以及包括第二電極的圖案。

6.一種TFT陣列基板，包括設置在基板上的包括柵極的圖案，柵絕緣層圖案，包括有源層的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，其特征在于，還包括：

通過一次構圖工藝形成的位于所述柵絕緣層圖案上的第一過孔以及位于所述包括有源層的圖案上的第二過孔；所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述第一過孔與所述第二過孔對應位置相重合，均位于所述柵極走線的上方。

7.根據權利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括有源層的圖案位于所述柵極、所述柵絕緣層的第一過孔周邊區域的上方以及所述源漏電極的下方。

8.根據權利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括：鈍化層圖案和包括第二電極的圖案。

9.根據權利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括源漏電極的圖案至少包括源漏電極以及覆蓋所述第一過孔和所述第二過孔的連接金屬層。

10.根據權利要求9所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔。

11.根據權利要求10所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第二電極的圖案至少包括第二電極以及覆蓋所述鈍化層過孔的連接電極。

12.根據權利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案同層設置，所述包括第一電極的圖案包含多個第一條形電極，所述包括第二電極的圖案包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置。

13.根據權利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案異層設置，其中位于上層的電極圖案包含多個條形電極，位于下層的電極圖案包含多個條形電極或為平板形。

14.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求6～13任一項所述的陣列基板。