[發(fā)明專利]TFT陣列基板及制作方法、顯示裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210564622.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN103021944A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛艷娜;王磊;薛海林;郭建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L29/786;H01L27/02
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)陣列基板及制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示器已廣泛的應(yīng)用于各個(gè)顯示領(lǐng)域。為了實(shí)現(xiàn)液晶顯示器的高分辨率，高開口率以及GOA(GateDriver?on?Array，陣列基板行驅(qū)動(dòng))技術(shù)的應(yīng)用，AD-SDS(Advanced-Super?Dimensional?Switching，簡(jiǎn)稱為ADS，高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān))型陣列基板的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)化為7次掩膜工藝，即：柵金屬層掩膜，有源層掩膜，柵絕緣層掩膜，第一電極層掩膜，源漏金屬層掩膜，鈍化層掩膜以及第二金屬層掩膜來(lái)制作完成陣列基板。

發(fā)明人在研究過程中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：由于陣列基板的制作應(yīng)用了7次掩膜工藝，應(yīng)用掩膜工藝次數(shù)較多，導(dǎo)致產(chǎn)品的產(chǎn)能下降，且制作成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于提供一種TFT陣列基板及制作方法、顯示裝置，能夠減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，降低陣列基板的制作成本。

本申請(qǐng)的一方面，提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括：

在基板上制作包括柵極的圖案，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線；

依次形成柵絕緣層和半導(dǎo)體薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成位于所述柵絕緣層上的第一過孔以及位于所述半導(dǎo)體薄膜上的第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔對(duì)應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線的上方；

形成源漏金屬層，通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案。

進(jìn)一步的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成位于所述柵絕緣層上的第一過孔以及位于所述半導(dǎo)體薄膜上的第二過孔，包括：

在所述半導(dǎo)體薄膜上涂敷第一光刻膠層；

對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影處理，形成位于預(yù)設(shè)置過孔區(qū)域的第一光刻膠去除部分、位于其他區(qū)域的第一光刻膠保留部分；

采用刻蝕工藝，依次去除所述第一光刻膠去除部分下方的所述半導(dǎo)體薄膜和所述柵絕緣層，形成所述第一過孔和所述第二過孔；

采用剝離工藝，去除所述第一光刻膠保留部分的光刻膠。

進(jìn)一步的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案，包括：

在所述源漏金屬層上涂敷第二光刻膠層；

對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影處理，形成位于預(yù)設(shè)置包含源漏電極圖案區(qū)域的第二光刻膠保留部分、位于薄膜晶體管溝道區(qū)域的第二光刻膠半保留部分和位于其他區(qū)域的第二光刻膠去除部分；

采用刻蝕工藝，依次去除所述第二光刻膠去除部分下方的所述源漏金屬層和所述半導(dǎo)體薄膜；

采用灰化工藝，去除所述第二光刻膠半保留部分的光刻膠；

采用刻蝕工藝，去除所述第二光刻膠半保留部分下方的所述源漏金屬層和部分所述半導(dǎo)體薄膜，形成所述包括源漏電極的圖案和所述包括有源層的圖案；

采用剝離工藝，去除所述第二光刻膠保留部分的光刻膠。

進(jìn)一步的，在制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案之后，還包括：

制作包括第一電極的圖案。

進(jìn)一步的，在所述制作包括第一電極的圖案之后，還包括：

制作鈍化層的圖案以及包括第二電極的圖案。

本申請(qǐng)的另一方面還提供一種TFT陣列基板，包括設(shè)置在基板上的包括柵極的圖案，柵絕緣層圖案，包括有源層的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，還包括：

通過一次構(gòu)圖工藝形成的位于所述柵絕緣層圖案上的第一過孔以及位于所述包括有源層的圖案上的第二過孔；所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述第一過孔與所述第二過孔對(duì)應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線的上方。

進(jìn)一步的，所述包括有源層的圖案位于所述柵極、所述柵絕緣層的第一過孔周邊區(qū)域的上方以及所述源漏電極的下方。

進(jìn)一步的，所述的TFT陣列基板還包括：鈍化層圖案和包括第二電極的圖案。

進(jìn)一步的，所述包括源漏電極的圖案至少包括源漏電極以及覆蓋所述第一過孔和所述第二過孔的連接金屬層。

進(jìn)一步的，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔。

進(jìn)一步的，所述包括第二電極的圖案至少包括第二電極以及覆蓋所述鈍化層過孔的連接電極。