[發(fā)明專利]行譯碼電路及存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210564385.5 | 申請日： | 2012-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN103077742B | 公開（公告）日： | 2017-02-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊光軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 譯碼 電路 存儲器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種行譯碼電路及存儲器。
背景技術(shù)
作為一種集成電路存儲器件，快閃存儲器具有電可擦寫存儲信息的功能，因此，快閃存儲器被廣泛應(yīng)用于如便攜式電腦、手機(jī)、數(shù)碼音樂播放器等電子產(chǎn)品中。通常的，依據(jù)柵極結(jié)構(gòu)的不同，快閃存儲器分為堆疊柵極快閃存儲器及分離柵極快閃存儲器兩種類型，這兩種快閃存儲器都需要將存儲單元以適合本身操作的陣列進(jìn)行排布，每一存儲單元都用來儲存單一位的數(shù)據(jù)。這種快閃存儲器的存儲陣列需要場氧化層或溝槽式絕緣層來分離存儲單元，同時，為了提高快閃存儲器的擦寫效率，需要較大面積的存儲單元才能得到高電容耦合比，因此，所述快閃存儲器存儲單元的面積較為龐大，無法有效提高存儲密度。
為了提高快閃存儲器的存儲密度，出現(xiàn)了雙分離柵結(jié)構(gòu)的快閃存儲器。圖1為現(xiàn)有的一種雙分離柵快閃存儲陣列及其行譯碼電路的結(jié)構(gòu)示意圖，所述雙分離柵快閃存儲陣列包括多個呈陣列排布的存儲單元（例如存儲單元M），以及用于選擇所述存儲單元并提供驅(qū)動信號的多條位線（BL1、BL2、BL3、…、BLn）、字線（WL1、WL2、…、WLm）以及控制柵線（CG1和CG2、CG3和CG4、…、CG2m-1和CG2m）。所述存儲單元為雙分離柵快閃晶體管結(jié)構(gòu)，每一存儲單元包括兩個存儲位，第一存儲位和第二存儲位，以及兩個存儲位共用的中間電極，每一存儲位包括一位線電極和一控制柵極，每一存儲單元連接兩條相鄰的位線，即第一存儲位的位線電極和第二存儲位的位線電極分別連接于相鄰的兩條位線。以存儲單元M為例，包括第一存儲位C1和第二存儲位C2，第一存儲位C1和第二存儲位C2共用的中間電極連接至字線WL1，第一存儲位C1的位線電極連接至位線BL3、控制柵極連接至控制柵線CG1，第二存儲位C2的位線電極連接至位線BL2、控制柵極連接至控制柵線CG2。
在對圖1所示的雙分離柵快閃存儲陣列進(jìn)行讀寫等操作時，由行譯碼電路向被選定操作的存儲單元提供字線操作電壓和控制柵線操作電壓。現(xiàn)有技術(shù)中，位于同一行的存儲單元對應(yīng)一個行譯碼單元，如圖1所示具有m行的雙分離柵快閃存儲陣列，對應(yīng)有m個行譯碼單元：行譯碼單元1、行譯碼單元2、…、行譯碼單元m。每個行譯碼單元的結(jié)構(gòu)相同，以圖1所示的行譯碼單元1為例進(jìn)行說明，具體參見圖2所示的行譯碼單元1的結(jié)構(gòu)示意圖。
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