[發明專利]X射線吸收譜的原位加熱裝置有效
| 申請號: | 201210564335.7 | 申請日: | 2012-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN103884725A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 洪才浩;安鵬飛;張靜;胡天斗 | 申請(專利權)人: | 中國科學院高能物理研究所 |
| 主分類號: | G01N23/06 | 分類號: | G01N23/06;G01N23/223;G01N1/44 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 劉春生;于寶慶 |
| 地址: | 100049 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射線 吸收 原位 加熱 裝置 | ||
1.一種X射線吸收譜的原位加熱裝置,包括樣品架和樣品室,其特征在于:
樣品架包括蓋部、穿設于蓋部的兩電極及電偶、設置于兩電極下端的加熱部,電偶伸入加熱部;
樣品室包括樣品室主體,設置于樣品室主體的第一通光窗、第二通光窗、第三通光窗以及與樣品室主體連通的抽真空接口,其中,樣品室主體的頂壁上開設有上開口,第一通光窗和第三通光窗開設于樣品室主體的兩相對側且兩者的光軸在同一直線上,第二通光窗的光軸垂直于第一通光窗和第二通光窗的光軸,且第一通光窗、第二通光窗、第三通光窗的光軸共面,其側壁上開設有第一通光孔、第二通光孔和第三通光孔,第一通光窗對應于第一通光孔設置于樣品室主體的外側,第二通光窗對應于第二通光孔設置于樣品室主體的外側,第三通光窗對應于第三通光孔設置于樣品室主體的外側,組裝時蓋部下側的電極、電偶及加熱部由上開口伸入到樣品室主體內,蓋部螺接于樣品室主體而形成密封的腔體。
2.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,加熱部是由貼附在一起的兩金屬箔片構成,兩箔片之間留有一定的間隙,在兩箔片的中央對應地開設有兩通孔,在兩箔片通孔處的間隙內放置樣品。
3.如權利要求2所述的原位加熱裝置,其特征在于,通孔呈水平方向的長度大于垂直方向的高度的矩形。
4.如權利要求2所述的原位加熱裝置,其特征在于,箔片選用厚度為0.1mm的鉭箔,兩箔片的長度可不同。
5.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,在蓋部與樣品室主之間設置O型密封圈。
6.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,在蓋部設有螺孔,在樣品室主體上沿上開口的邊緣向外凸設有凸臺,在凸臺上設有兩組螺孔,凸臺的每一組螺孔都與蓋部的螺孔相對應,通過螺釘旋設于螺孔中,以實現蓋部與樣品室主體的可拆卸連接。
7.如權利要求6所述的原位加熱裝置,其特征在于,蓋部設有四個螺孔且相鄰螺孔的相位角為90度,凸臺設有八個螺孔且相鄰螺孔的相位角為45,相位角為90度的四個螺孔為一組。
8.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,兩電極與蓋部絕緣,兩電極穿出蓋部的上端與快速連接裝置相連接。
9.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,兩電極的下端沿軸向開有槽縫,加熱部插入槽縫,槽縫的寬度與加熱部的厚度相接近。
10.如權利要求9所述的原位加熱裝置,其特征在于,兩電極的下端呈錐形,越靠近末端直徑越小,將加熱部插入槽縫后,依次將錐形卡箍和螺母套入電極的末端。
11.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,電偶與蓋部絕緣,電偶穿出蓋部的冷端連接有冷端補償導線。
12.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,在蓋部與加熱部之間設置擋片,以阻擋加熱器對蓋部熱輻射。
13.如權利要求12所述的原位加熱裝置,其特征在于,擋片的邊緣設有對應電極的兩凹槽,擋片的中間設有穿設電偶的通孔。
14.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,抽真空接口為快速法蘭接口,與真空規及真空泵相連接。
15.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,第一通光窗、第二通光窗或第三通光窗中都包括環設于其對應通光孔邊緣的密封圈、覆蓋于對應通光孔和密封圈的窗口膜、設于窗口膜外側的法蘭。
16.如權利要求15所述的原位加熱裝置,其特征在于,法蘭的內徑與對應通光孔的直徑相同。
17.如權利要求15所述的原位加熱裝置,其特征在于,窗口膜包括內膜和外膜,內膜為碳膜,外膜為聚酰亞胺膜、鈹窗或石英玻璃。
18.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,第一通光孔與第三通光孔的大小相同,第二通光孔大于第一通光孔和第三通光孔。
19.如權利要求1所述的原位加熱裝置,其特征在于,進一步包括外部控制電路及設置于樣品室本體內的真空計,該外部控制電路包括與電偶連接的PID溫控儀、連接于PID溫控儀和電極之間的可控硅、連接于真空計與電極之間的真空開關。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院高能物理研究所,未經中國科學院高能物理研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210564335.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:聚烯烴系多孔膜
- 下一篇:有機電致發光器件及其制備方法





