[發明專利]納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉的生產工藝

無效

• 申請號: 201210564019.X
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103011237A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 張海水
• 申請（專利權）人: 安陽金石研磨材料有限公司
• 主分類號: C01F17/00
• 分類號: C01F17/00;C09G1/02
• 代理公司: 安陽市智浩專利代理事務所 41116
• 代理人: 張智和

技術領域

本發明涉及在制作納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉時控制原料的溶解濃度、堿性反應劑加注后和酸性反應劑添加后PH值的控制、反應溫度方面的制作工藝。

技術背景

目前公認的生產操作工藝是原料氯化稀土在溶解時，對溶解濃度不做控制，堿性反應劑（如：碳酸氫銨）的加注為固體一次性添加，反應溫度控制在30℃--45℃，待反應釜內的PH值到達6.5-7時反應結束，反應結束后直接脫水、烘干。但現在的生產操作工藝，存在反應時間短，結晶迅速，晶格排列無序，造成氧化鑭鈰稀土拋光粉成品外觀形狀無規則，在拋光過程中造成被拋光體表面光潔度下降，精度下降，易造成深度劃傷。

發明內容

本發明提供一種納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉的制作工藝，能夠有效控制氧化鑭鈰稀土拋光粉的外觀形狀，達到大幅度提高被研磨體的表面精度的目的。

本發明的技術方案是：對原料氯化稀土原料用水溶解的同時加入酸性助反應劑并調整REO濃度，達到一定濃度的稀土液體經過濾后置入母體化合物制備器內加溫并保溫在一定范圍，同時加注反應劑氫氟酸，待母體化合物制備器內的反應物中的F含量達到REO含量的一定百分比時氫氟酸加注結束，之后向制備器內的反應物滴注式加注碳酸氫銨和分散劑，控制PH值達到一定值后，碳酸氫銨加注結束，制備器內的反應物轉入氟化晶格，氟化晶格轉變一定時間后，送入壓濾機脫水、燒干、煅燒、冷卻后過篩粉碎、包裝成品。加入酸性助反應劑后使氯化稀土溶液的PH值在3.4～4，并調整REO濃度在120—150克/升。母體化合物制備器內的反應溫度控制在60℃～80℃，同時加注反應劑氫氟酸，待反應物中的F含量達到REO含量的6.5—8%時硅氟酸加注結束，反應劑氫氟酸加注結束。向母體化合物制備內加入碳酸氫銨和分散劑，PH值控制在7。氟化晶格轉化2--4小時后方轉入壓濾機脫水。

本發明的有益效果是：用本發明方法通過對原料氯化稀土的濃度、反應溫度、PH值、氟化晶格轉化時間的控制，可以制作納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉。該工藝方法操作方法簡單，可行性好，效果佳。用本方法制作的納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉，可大幅度提高被研磨體的表面精度，不易造成深度劃傷，表面光潔度高，尤其滿足中等偏軟質精密光學的高速拋光如：精密光學鏡頭、玻璃模具對光潔度的要求。

附圖說明

附圖1為本發明工藝流程簡圖。???????

具體實施方式

工業純水分別溶解氯化稀土原料和反應劑碳酸氫胺，在溶解氯化稀土原料的同時加入酸性助反應劑（如：鹽酸、硅氟酸、硫酸等）控制PH值3.5—4；在溶解堿性反應劑碳酸氫胺的時候加工業純水控制堿性反應劑的濃度在10%—35%。溶解后的稀土原料REO（稀土總量）濃度控制120—150克/升，經過濾，加入母體化合物制備器∮2000-8.5中用蒸汽加溫攪拌，溫度控制在60℃--80℃之間，加注氫氟酸，待母體化合物制備器∮2000-8.5內的反應物中的F（氟）含量達到REO含量的6.5—8%時，氫氟酸加注結束；向母體化合物制備器加入碳酸氫銨和分散劑，控制PH值達到7。氟化晶格轉變2—4小時后，經YZLFHG-800壓濾機脫水,入烘干爐，煅燒爐，冷卻后過TS-100干篩機，流化床氣流粉碎機粉碎后，拼混包裝。