[發明專利]納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉的生產工藝

無效

• 申請號: 201210564019.X
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103011237A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 張海水
• 申請（專利權）人: 安陽金石研磨材料有限公司
• 主分類號: C01F17/00
• 分類號: C01F17/00;C09G1/02
• 代理公司: 安陽市智浩專利代理事務所 41116
• 代理人: 張智和

1.納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉的生產工藝，其特征在于：對原料氯化稀土原料用水溶解的同時加入酸性助反應劑并調整REO濃度，達到一定濃度的稀土液體經過濾后置入母體化合物制備器內加溫并保溫在一定范圍，同時加注反應劑氫氟酸，待母體化合物制備器內的反應物中的F含量達到REO含量的一定百分比時氫氟酸加注結束，之后向制備器內的反應物滴注式加注碳酸氫銨和分散劑，控制PH值達到一定值后，碳酸氫銨加注結束，制備器內的反應物轉入氟化晶格，氟化晶格轉變一定時間后，送入壓濾機脫水、燒干、煅燒、冷卻后過篩粉碎、包裝成品。

2.根據權利要求1所述的納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉的生產工藝，其特征在于：加入酸性助反應劑后使氯化稀土溶液的PH值在3.4～4，并調整REO濃度在120—150克/升。

3.根據權利要求1所述的納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉的生產工藝，其特征在于：母體化合物制備器內的反應溫度控制在60℃～80℃，同時加注反應劑氫氟酸，待反應物中的F含量達到REO含量的6.5—8%時硅氟酸加注結束，反應劑氫氟酸加注結束。

4.根據權利要求1所述的納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉的生產工藝，其特征在于：向母體化合物制備內加入碳酸氫銨和分散劑，PH值控制在7。

5.根據權利要求1所述的納米級單球狀氧化鑭鈰稀土拋光粉的生產工藝，其特征在于：氟化晶格轉化2--4小時后方轉入壓濾機脫水。