[發明專利]LED檢測裝置

無效

• 申請號: 201210562684.5
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103884974A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 吳岱緯;蔡泰成;林信宏;蔡秉宗;黃佩怡;許國君;許壽文;李允立
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 董云海;叢芳

【技術領域】

本發明是有關于一種檢測裝置，特別是有關于一種LED檢測裝置。

【背景技術】

隨著科技進步及生活品質的提升，現代人對于照明更趨重視。從自古利用物質燃燒以進行發光照明的火把、動植物油燈、蠟燭、煤油燈，以電力發光的白熾燈、熒光燈，抑或是現今常用的發光二極管(light-emitting?diode，LED)，皆顯示照明在人類日常生活中扮演極重要的角色。

發光二極管是利用電子電洞結合以發出單色光，以達到照明或警示的作用。發光二極管相較于傳統光源，具有發光效率高、使用壽命長、不易破損、反應速度快等優點。由于近幾年政府大力的提倡及各城市LED路燈規模的加速擴大下，使用LED作為照明用途已隨處可見。

一般常用點測機以檢測發光二極管晶片的發光效率。現有的點測機是利用探針提供發光二極管晶片發光的電壓來源，再經由點測機的光感測裝置收集光線，進而判斷發光二極管晶片的發光效率。然而，使用者在使用現有的點測機時，不僅須選用適當的光感測裝置以感測發光二極管晶片的發光效率，且在實際操作上，使用者更常為了達到完整收光的目的，而須調整光感測裝置與發光二極管晶片的相對位置，著實增加使用者于檢測發光二極管晶片的繁雜度及所需的檢測時間。又，光線通過載臺至光感測裝置的路徑，易因光線折射造成光量損失，影響檢測發光二極管晶片發光效率的準確度。

【發明內容】

有鑒于上述現有技術的問題，本發明的其中一目的就是在于提供一種LED檢測裝置，以降低使用者檢測發光二極管晶片的繁雜度及所需的檢測時間。

本發明的另一目的，在于提出一種LED檢測裝置，以提高檢測發光二極管晶片的準確度。

為達前述目的，本發明提出一種LED檢測裝置，至少包含具有光電轉換功能的基座以及點測裝置。基座用以承載至少一發光二極管晶片。點測裝置包含電源供應器及至少二個導電元件，且導電元件的兩端分別電性連接發光二極管晶片及電源供應器，以令發光二極管晶片發出光線。并且，發光二極管晶片發出的部分光線朝向基座，以使得基座將發光二極管晶片發出的光線轉換成一電子信號。其中，基座為太陽能板或光偵測器陣列(photodetector?array)，且太陽能板為非晶硅太陽能板或三五族太陽能板，而光偵測器陣列為光電二極管、電荷耦合器件(charge?coupled?device，CCD)、光電阻、量子器件光學偵測器、光電閘、光電晶體或光導體的陣列。

此外，基座的面積實質上大于發光二極管晶片或其陣列的分布面積。較佳地，基座的面積大于〔L+2H?tan(θ/2)〕×〔W+2H?tan(θ/2)〕，其中L為發光二極管晶片的長度，W為發光二極管晶片的寬度，H為發光二極管晶片的高度，θ為發光二極管晶片面向基座的最大出光角。

根據本發明的LED檢測裝置的第一較佳實施例，導電元件為探針。

根據本發明的LED檢測裝置的第二較佳實施例，導電元件為導電薄膜，且導電薄膜設置于基座與發光二極管晶片之間。其中，導電薄膜的材質為氧化銦錫(indium?t?in?oxide，ITO)或氧化銦鋅(indiumzinc?oxide，IZO)。

根據本發明的LED檢測裝置的第三較佳實施例，導電元件為導電薄膜，且導電薄膜設置于基座與發光二極管晶片之上。其中，導電薄膜的材質為氧化銦錫(indium?tin?oxide，ITO)或氧化銦鋅(indiumzinc?oxide，IZO)。

在本發明的LED檢測裝置的第一及第三較佳實施例中，基座與發光二極管晶片之間設有具黏性的膜材，且膜材上還設置一擴張環(gripring)，用以拉撐膜材。

此外，在本發明的LED檢測裝置的第一、第二、第三較佳實施例中，發光二極管晶片背向基座的一側可裝設反射膜，以反射發光二極管晶片的背向基座的一面的出光或側向出光。其中，反射膜為于300nm～700nm的光波長區域的反射率為90%以上的薄膜。較佳地，反射膜為于430nm～475nm的可見藍光區域的反射率為90%以上的薄膜。

承上所述，本發明的LED檢測裝置，其可具有一或多個下述優點：

(1)本發明的LED檢測裝置，利用具有光電轉換功能的基座承載發光二極管晶片并檢測其發光效率，以減低使用者操作檢測裝置的繁雜度以及所需的檢測時間。

(2)本發明的LED檢測裝置，利用具有光電轉換功能的基座，可降低傳遞路徑中的光損失，以提高檢測發光二極管晶片的準確度。

【附圖說明】

圖1為本發明的LED檢測裝置的第一較佳實施例的剖面示意圖。