[發明專利]LED檢測裝置

無效

• 申請號: 201210562684.5
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103884974A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 吳岱緯;蔡泰成;林信宏;蔡秉宗;黃佩怡;許國君;許壽文;李允立
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 董云海;叢芳

1.一種LED檢測裝置，至少包含：

一具有光電轉換功能的基座，用以承載至少一發光二極管晶片；

以及

一點測裝置，該點測裝置包含一電源供應器及至少兩個導電元件，這些導電元件的兩端分別電性連接該發光二極管晶片及該電源供應器，以令該發光二極管晶片發出光線，

其中該發光二極管晶片發出的部分光線朝向該基座，以使得該基座將該發光二極管晶片發出的光線轉換成一電子信號。

2.如權利要求1所述的LED檢測裝置，其中該基座的面積實質上大于該發光二極管晶片的陣列分布面積。

3.如權利要求2所述的LED檢測裝置，其中該基座的面積大于〔L+2Htan(θ/2)〕×〔W+2Htan(θ/2)〕，其中L為該發光二極管晶片的長度，W為該發光二極管晶片的寬度，H為該發光二極管晶片的高度，θ為該發光二極管晶片面向該基座的最大出光角。

4.如權利要求1所述的LED檢測裝置，其中還包含一反射膜，該反射膜設置于該發光二極管晶片背向該基座的一側。

5.如權利要求4所述的LED檢測裝置，其中該反射膜為于300nm～700nm的光波長區域的反射率為90%以上的薄膜。

6.如權利要求5所述的LED檢測裝置，其中該反射膜為于430nm～475nm的可見藍光區域的反射率為90%以上的薄膜。

7.如權利要求1所述的LED檢測裝置，其中這些導電元件為探針或導電薄膜。

8.如權利要求7所述的LED檢測裝置，其中該導電薄膜的材質為氧化銦錫或氧化銦鋅。

9.如權利要求7所述的LED檢測裝置，其中該導電薄膜設置于該基座與該發光二極管晶片之間。

10.如權利要求7所述的LED檢測裝置，其中該導電薄膜設置于該基座與該發光二極管晶片之上。

11.如權利要求1所述的LED檢測裝置，其中該基座為太陽能板或光偵測器陣列。

12.如權利要求11所述的LED檢測裝置，其中該光偵測器陣列為光電二極管、電荷耦合器件、量子器件光學偵測器、光電閘、光電阻、光電晶體或光導體的陣列。

13.如權利要求1所述的LED檢測裝置，其中該基座與該發光二極管晶片之間設有具黏性的膜材，且該膜材上還設置一擴張環，用以拉撐該膜材。