[發明專利]發光芯片組合

有效

• 申請號: 201210561892.3
• 申請日: 2012-12-22
• 公開（公告）號: CN103887418B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 賽恩倍吉科技顧問（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/38
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 薛曉偉

技術領域

本發明涉及一種芯片組合，特別是指一種發光芯片組合。

背景技術

發光二極管作為新興的光源，已被廣泛地應用于各種用途當中。發光二極管通常包括基座、安裝于基座上的芯片及覆蓋芯片的封裝體。芯片由基板及依次生長于基板上的N型半導體層、發光層及P型半導體層組成。芯片還會分別在其N型半導體層及P型半導體層上形成P電極及N電極，以與基座電連接。當前，有部分芯片是直接采用導電材料來制造其基板的，業界通常稱之為垂直導通型芯片。此種芯片的基板可直接作為N型半導體層的電極使用，因而此種芯片僅會在其P型半導體層的頂部形成P電極。工作時，電流從P電極進入芯片內，并經由基板輸出至基座。

然而，此種垂直導通型芯片的P電極往往是僅覆蓋住P型半導體層的頂部的中間區域，導致電流在芯片內傳輸時也趨向于集中在芯片的中部，芯片兩側區域的電流則較少。由此，電流在芯片內的分布出現中間多兩側少的情況，致使芯片中部區域受電流所激發的光線要多于芯片兩側區域受電流所激發的光線，使芯片無法均勻地發光。此種情況在大面積的芯片當中更為明顯，嚴重影響到芯片的正常使用。

發明內容

因此，有必要提供一種具有均勻光輸出的發光芯片組合。

一種發光芯片組合，包括導電基板、與導電基板電連接并依次堆疊的第一半導體層、發光層、第二半導體層及電極，基板包括多個電流壁障，這些電流壁障的密度及尺寸中的至少一個從對應電極的位置處朝向基板的周邊減小。

由于電流壁障的密度或尺寸從對應電極的位置處朝向基板的周邊減小，因此從電極進入芯片內的電流在電流壁障的阻擋下會向芯片周邊擴散，從而在芯片內分布均勻。分布均勻的電流進而激發發光層發出均勻的光線，使芯片獲得理想的出光效果。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1示出本發明第一實施例的發光芯片組合。

圖2示出本發明第二實施例的發光芯片組合。

圖3示出本發明第三實施例的發光芯片組合。

圖4示出本發明第四實施例的發光芯片組合。

主要元件符號說明

發光芯片組合10基板20導通部22電流壁障24第一導電層26第二導電層28絕緣層29芯片30基板32凹槽320第一半導體層34發光層36第二半導體層38電極39導線40