[發明專利]發光芯片組合

有效

• 申請號: 201210561892.3
• 申請日: 2012-12-22
• 公開（公告）號: CN103887418B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 賽恩倍吉科技顧問（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/38
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 薛曉偉

1.一種發光芯片組合，包括第一基板及固定于第一基板上的芯片，該芯片包括第二基板、與第二基板電連接并依次堆疊的第一半導體層、發光層、第二半導體層及電極，其特征在于：第二基板包括多個電流壁障，電流壁障的排布密度及尺寸中的至少一個從第二基板上對應電極的位置處朝向第二基板周邊減小，電流壁障為形成于第二基板遠離發光層的表面的凹槽，凹槽位于第二基板與第一基板的接合處。

2.如權利要求1所述的發光芯片組合，其特征在于：第二基板直接與第一半導體層連接。

3.如權利要求2所述的發光芯片組合，其特征在于：第二基板由導電材料制成。

4.如權利要求1所述的發光芯片組合，其特征在于：第一基板通過第二基板與第一半導體層連接。

5.如權利要求4所述的發光芯片組合，其特征在于：第一基板由絕緣材料制成，第一基板內部形成多個導通部，相鄰導通部之間形成電流壁障。

6.如權利要求5所述的發光芯片組合，其特征在于：第一基板包括第一表面及與第一表面相對的第二表面，導通部從第一表面貫穿第一基板延伸至第二表面。

7.如權利要求6所述的發光芯片組合，其特征在于：第二基板接合于第一基板第一表面上對應導通部的位置處并與導通部連接。

8.如權利要求7所述的發光芯片組合，其特征在于：還包括在第一基板第一表面上形成的第一導電層及在第一基板第二表面上形成的第二導電層，第一導電層與第二基板隔開，第二導電層連接導通部。

9.如權利要求8所述的發光芯片組合，其特征在于：電極通過導線與第一導電層連接。