[發(fā)明專利]一種GaN基白光倒裝芯片的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210561072.4
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN103887218B
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 封波;趙漢民;孫錢;彭翔
• 申請（專利權(quán)）人: 晶能光電（常州）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/00
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• 代理人: 暫無信息

1.一種GaN基白光倒裝芯片的制備方法，包括：

在生長襯底上依次生長緩沖層、n型GaN層、活性層、p型GaN層，形成GaN基半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上制備P、N電極，所述P、N電極在半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)的同一側(cè)，且通過不導(dǎo)電的介質(zhì)膜隔離開；

在所述半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上涂第一膠，與第一臨時基板進行固化；所述第一膠的固化后邵氏硬度80—100D，耐溫度范圍-25—300℃，拉彎強度80--120MPa，壓縮強度200—300MPa；

將所述生長襯底剝離掉；

在剝離后暴露的半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)表面涂第二膠，與永久支撐基板結(jié)合；所述第二膠的耐溫范圍-55－+200℃，拉伸強度60-100MPa，拉彎強度105-200MPa；

去掉第一臨時基板和第一膠；

其中所述永久支撐基板為摻了熒光粉的陶瓷或玻璃透明基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：所述生長襯底為硅、藍寶石、SiC中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上還蒸鍍有導(dǎo)電反射復(fù)合金屬層，并對所述導(dǎo)電反射復(fù)合金屬層進行合金處理，合金溫度為300-600℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：所述第一膠為高溫環(huán)氧樹脂改性膠或邦定膠或UV膠中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：所述第一膠的厚度為50-500微米，固化溫度為80-160℃，固化時間為30-120分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：所述第一臨時基板的材質(zhì)為硅、藍寶石、玻璃或陶瓷中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：所述襯底剝離的方法為濕法腐蝕、機械研磨、激光剝離中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：在所述剝離后暴露的半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)表面涂第二膠之前，對其做粗化處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：所述第二膠為硅膠、UV膠、環(huán)氧樹脂改性膠中的任意一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：其中所述第二膠的厚度為5-30微米，固化溫度120—180℃，固化時間10—60分鐘。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的GaN基白光倒裝芯片的制備方法，其特征在于：所述結(jié)合方式為加熱固化、UV光固化中的任意一種。