[發(fā)明專利]含二氧化硅聚酰亞胺薄膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210560650.2 | 申請日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103013116A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 岑建軍 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波今山電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C08L79/08 | 分類號: | C08L79/08;C08K3/36;C08G73/10;C08J5/18 |
| 代理公司: | 杭州金源通匯專利事務(wù)所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
| 地址: | 315217 浙江省寧波市鄞州區(qū)云龍鎮(zhèn)*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二氧化硅 聚酰亞胺 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種含二氧化硅聚酰亞胺薄膜的制備方法,包括采用納米級SiO2粉體和聚酰胺酸,所述的聚酰胺酸是由均苯四甲酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚合成反應(yīng)所得到的聚酰胺酸,其特征是:在聚酰胺酸合成時,首先對均苯四甲酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚按反應(yīng)所需的摩爾比計算各自所需的反應(yīng)量,加入計算所需的均苯四甲酸二酐與95%的4,4’-二氨基二苯醚于反應(yīng)釜內(nèi)在45℃溫度下反應(yīng)6小時,得到聚酰胺酸,在合成得到的聚酰胺酸中加入聚酰胺酸重量5%-10%的四乙氧基乙基原硅酸,攪拌0.5小時,再將需加入的納米級SiO2粉體與剩余的5%的4,4’-二氨基二苯醚混合充分?jǐn)嚢瑁缓蠹尤氲郊佑兴囊已趸一杷岬木埘0匪嶂?,再進(jìn)行充分?jǐn)嚢?,在此,所述的納米級SiO2粉體是經(jīng)研磨后粉體粒徑達(dá)到D90<1um的納米級SiO2粉體,納米級SiO2粉體的加入量占聚酰胺酸總量的5%-30%,然后用均苯四甲酸二酐調(diào)節(jié)最后反應(yīng)生成物的粘度達(dá)到90000±5000CP,最后脫泡流涎成膜即可。
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