[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210560089.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN103050278A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋子峰;祝忠勇;韋豪任;周鋒;陸亨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01G4/005
• 分類號(hào): H01G4/005;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子元件領(lǐng)域，特別是涉及一種多層陶瓷電容器及其制備方法。

背景技術(shù)

多層陶瓷電容器（Multilayer?Ceramic?Capacitor，簡(jiǎn)稱MLCC）是應(yīng)用最廣泛的電子元件之一。常規(guī)的多層陶瓷電容器的陶瓷體一般包括多個(gè)陶瓷介質(zhì)層及與多個(gè)陶瓷介質(zhì)層交替層疊的內(nèi)電極層，陶瓷介質(zhì)層和內(nèi)電極層依次交替層疊，由于內(nèi)電極層具有一定的厚度，且內(nèi)電極層并未完全覆蓋陶瓷介質(zhì)層的表面，從而使得設(shè)置有內(nèi)電極層的陶瓷介質(zhì)層的表面形成高度差，相鄰的陶瓷介質(zhì)層之間在陶瓷介質(zhì)層上未層疊有內(nèi)電極層之處不可避免地要產(chǎn)生空隙。

由于高度差的存在，使得在制備過程中，依次將陶瓷介質(zhì)層和內(nèi)電極層交替層疊時(shí)，向陶瓷介質(zhì)層和內(nèi)電極層組成的層疊結(jié)構(gòu)施加的壓力會(huì)產(chǎn)生陶瓷介質(zhì)層容易被撕裂的問題，從而導(dǎo)致相鄰層的不同極性的內(nèi)電極層短路。由于空隙的存在，燒結(jié)時(shí)易導(dǎo)致陶瓷體內(nèi)部分層，并減小了相鄰的陶瓷介質(zhì)層的接觸面積，從而向?qū)盈B結(jié)構(gòu)施加壓力時(shí)，處于上層的陶瓷介質(zhì)層與下層的內(nèi)電極層的粘合力不足而發(fā)生相鄰陶瓷介質(zhì)層之間的不期望的相對(duì)位移的傾向增大，減小了內(nèi)電極層之間的正對(duì)面積，導(dǎo)致多層陶瓷電容器的有效容量下降。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種可靠性和有效容量較高的多層陶瓷電容器。

一種多層陶瓷電容器，包括多個(gè)層疊的層疊單元，每個(gè)層疊單元包括第一陶瓷介質(zhì)層及形成于所述第一陶瓷介質(zhì)層表面的部分區(qū)域的內(nèi)電極層，所述每個(gè)層疊單元還包括第二陶瓷介質(zhì)層，所述第二陶瓷介質(zhì)層覆蓋所述內(nèi)電極層及所述第一陶瓷介質(zhì)層表面上未被所述內(nèi)電極層覆蓋的區(qū)域，且所述第二陶瓷介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一陶瓷介質(zhì)層的表面至所述內(nèi)電極層遠(yuǎn)離所述第一陶瓷介質(zhì)層的表面的距離為0.56微米~2.1微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述內(nèi)電極層的厚度為0.8微米~1.6微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一陶瓷介質(zhì)層的厚度為0.56微米~28微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述多層陶瓷電容器還包括兩個(gè)端電極，所述兩個(gè)端電極與所述內(nèi)電極層電連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括第一保護(hù)層和第二保護(hù)層，所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層分別位于所述多個(gè)層疊的層疊單元的上下兩端。

一種多層陶瓷電容器的制備方法，包括如下步驟：

步驟一：將第一陶瓷漿料流延在基板上，烘干后在所述基板上形成第一陶瓷介質(zhì)膜；

步驟二：采用絲網(wǎng)印刷在所述第一陶瓷介質(zhì)膜上印刷內(nèi)電極圖案，烘干后形成覆蓋在所述第一陶瓷介質(zhì)膜表面的部分區(qū)域的內(nèi)電極膜；

步驟三：將第二陶瓷漿料流延在所述第一陶瓷介質(zhì)膜及內(nèi)電極膜上，烘干后形成第二陶瓷介質(zhì)膜，所述第二陶瓷介質(zhì)膜覆蓋所述內(nèi)電極膜及所述第一陶瓷介質(zhì)膜表面的未被所述內(nèi)電極膜覆蓋的區(qū)域，并與所述內(nèi)電極膜及所述第一陶瓷介質(zhì)膜組成粘附于所述基板上的連續(xù)的層疊單元膜帶，且所述第二陶瓷介質(zhì)膜遠(yuǎn)離所述第一陶瓷介質(zhì)膜的表面至所述內(nèi)電極膜遠(yuǎn)離所述第一陶瓷介質(zhì)膜的表面的距離為0.8微米~3微米；

步驟四：分割所述層疊單元膜帶并從所述基板上剝離得到多個(gè)層疊單元膜；

步驟五：將所述多個(gè)層疊單元膜進(jìn)行層疊得到層疊體；及

步驟六：將所述層疊體進(jìn)行壓合、切割后得到多個(gè)獨(dú)立的層疊體，將所述多個(gè)獨(dú)立的層疊體進(jìn)行燒結(jié)后得到多個(gè)多層陶瓷電容器；所述每個(gè)多層陶瓷電容器包括多個(gè)層疊的層疊單元，每個(gè)層疊單元包括第一陶瓷介質(zhì)層及形成于所述第一陶瓷介質(zhì)層表面的部分區(qū)域的內(nèi)電極層，所述第二陶瓷介質(zhì)層覆蓋所述內(nèi)電極層及所述第一陶瓷介質(zhì)層表面上未被所述內(nèi)電極層覆蓋的區(qū)域，其中，所述第二陶瓷介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一陶瓷介質(zhì)層的表面至所述內(nèi)電極層遠(yuǎn)離所述第一陶瓷介質(zhì)層的表面的距離為0.56微米~2.1微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述步驟一中，所述烘干的溫度為60℃~100℃；所述步驟二中，所述烘干的溫度為60℃~80℃；所述步驟三中，所述烘干的溫度為60℃~70℃。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述內(nèi)電極膜的厚度為1微米~2微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述步驟六中，所述燒結(jié)是于還原氣氛中、溫度1250℃~1320℃下進(jìn)行。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括制備端電極的步驟，所述制備端電極的步驟包括：將燒結(jié)后的獨(dú)立的層疊體進(jìn)行倒角研磨，然后用銅漿料涂覆所述燒結(jié)后的獨(dú)立的層疊體的暴露內(nèi)電極層的端面，烘干并于中性氣氛下燒結(jié)形成端電極。