[發明專利]多層陶瓷電容器及其制備方法

有效

• 申請號: 201210560089.8
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103050278A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 宋子峰;祝忠勇;韋豪任;周鋒;陸亨
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種多層陶瓷電容器，包括多個層疊的層疊單元，每個層疊單元包括第一陶瓷介質層及形成于所述第一陶瓷介質層表面的部分區域的內電極層，其特征在于，所述每個層疊單元還包括第二陶瓷介質層，所述第二陶瓷介質層覆蓋所述內電極層及所述第一陶瓷介質層表面上未被所述內電極層覆蓋的區域，且所述第二陶瓷介質層遠離所述第一陶瓷介質層的表面至所述內電極層遠離所述第一陶瓷介質層的表面的距離為0.56微米~2.1微米。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其特征在于，所述內電極層的厚度為0.8微米~1.6微米。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其特征在于，所述第一陶瓷介質層的厚度為0.56微米~28微米。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其特征在于，所述多層陶瓷電容器還包括兩個端電極，所述兩個端電極與所述內電極層電連接。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其特征在于，還包括第一保護層和第二保護層，所述第一保護層和第二保護層分別位于所述多個層疊的層疊單元的上下兩端。

6.一種多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一：將第一陶瓷漿料流延在基板上，烘干后在所述基板上形成第一陶瓷介質膜；

步驟二：采用絲網印刷在所述第一陶瓷介質膜上印刷內電極圖案，烘干后形成覆蓋在所述第一陶瓷介質膜表面的部分區域的內電極膜；

步驟三：將第二陶瓷漿料流延在所述第一陶瓷介質膜及所述內電極膜上，烘干后形成第二陶瓷介質膜，所述第二陶瓷介質膜覆蓋所述內電極膜及所述第一陶瓷介質膜表面的未被所述內電極膜覆蓋的區域，并與所述內電極膜及所述第一陶瓷介質膜組成粘附于所述基板上的連續的層疊單元膜帶，且所述第二陶瓷介質膜遠離所述第一陶瓷介質膜的表面至所述內電極膜遠離所述第一陶瓷介質膜的表面的距離為0.8微米~3微米；

步驟四：分割所述層疊單元膜帶并從所述基板上剝離得到多個層疊單元膜；

步驟五：將所述多個層疊單元膜進行層疊得到層疊體；及

步驟六：將所述層疊體進行壓合、切割后得到多個獨立的層疊體，將所述多個獨立的層疊體進行燒結后得到多個多層陶瓷電容器；所述每個多層陶瓷電容器包括多個層疊的層疊單元，每個層疊單元包括第一陶瓷介質層及形成于所述第一陶瓷介質層表面的部分區域的內電極層，所述第二陶瓷介質層覆蓋所述內電極層及所述第一陶瓷介質層表面上未被所述內電極層覆蓋的區域，其中，所述第二陶瓷介質層遠離所述第一陶瓷介質層的表面至所述內電極層遠離所述第一陶瓷介質層的表面的距離為0.56微米~2.1微米。

7.根據權利要求6所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟一中，所述烘干的溫度為60℃~100℃；所述步驟二中，所述烘干的溫度為60℃~80℃；所述步驟三中，所述烘干的溫度為60℃~70℃。

8.根據權利要求6所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，所述內電極膜的厚度為1微米~2微米。

9.根據權利要求6所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟六中，所述燒結是于還原性氣氛中、溫度1250℃~1320℃下進行。

10.根據權利要求6所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，還包括制備端電極的步驟，所述制備端電極的步驟包括：將燒結后的獨立的層疊體進行倒角研磨，然后用銅漿料涂覆所述燒結后的獨立的層疊體的暴露內電極層的端面，烘干并于中性氣氛下燒結形成端電極。