[發明專利]半導體工藝及其結構

有效

• 申請號: 201210559290.4
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103871912A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 施政宏;謝永偉;王凱億
• 申請（專利權）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明是有關于一種半導體工藝，特別是有關于一種可加強結構強度的半導體工藝。

背景技術

如圖1所示，現有習知半導體結構200包含有硅基板210、凸塊下金屬層220及焊球230，該硅基板210具有鋁墊211及保護層212，該凸塊下金屬層220電性連接該鋁墊211且該焊球230形成于該凸塊下金屬層220上。當該半導體結構200進行推力測試時，由于該焊球230、該凸塊下金屬層220與該鋁墊211的材質不同，因此會存在明顯的結合接口而形成結構強度最脆弱之處，導致該凸塊下金屬層220容易由該鋁墊211剝離甚至損傷該鋁墊211而使得該半導體結構200良率下降。

由此可見，上述現有的半導體在產品結構、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。因此如何能創設一種新的半導體工藝及其結構，亦成為當前業界極需改進的目標。

有鑒于上述現有的半導體存在的缺陷，本發明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新的半導體工藝及其結構，能夠改進一般現有的半導體，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計,并經過反復試作樣品及改進后，終于創設出確具實用價值的本發明。

發明內容

本發明的主要目的在于，克服現有的半導體存在的缺陷，而提供一種新的半導體工藝及其結構，所要解決的技術問題是使其形成一支撐層于該保護層及該第一緩沖層，該第一凸塊下金屬層具有一第一環壁，該第一緩沖層具有一第二環壁，該支撐層包覆該第一環壁、該第二環壁及該包埋部；以及形成一導接部且覆蓋該第一緩沖層之該接合部，非常適于實用。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種半導體工藝，其中包含：提供硅基板，該硅基板具有表面、導接墊及保護層，該導接墊形成于該表面，該保護層形成于該表面且覆蓋該導接墊，該保護層具有第一開口，該第一開口顯露該導接墊；形成第一種子層于該保護層及該導接墊，該第一種子層具有第一區段及位于該第一區段外側的第二區段；形成第一光阻層于該第一種子層，該第一光阻層形成有第一開槽以顯露該第一區段；形成第一緩沖層于該第一開槽，該第一緩沖層覆蓋該第種子層的該第一區段，該第一緩沖層具有接合部及包埋部；移除該第一光阻層以顯露該第一種子層的該第二區段；移除該第一種子層的該第二區段以使該第一區段形成第一凸塊下金屬層；形成支撐層于該保護層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，其中該第一凸塊下金屬層具有第一環壁，該第一緩沖層具有第二環壁,該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層之該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部；以及

形成導接部于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的半導體工藝,其特征在于該導接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層,該第二凸塊下金屬層覆蓋該第一緩沖層之該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。

前述的半導體工藝，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。

前述的半導體工藝,其特征在于形成該導接部的工藝包含下列步驟：形成第二種子層于該支撐層并覆蓋該第一緩沖層，該第二種子層具有第三區段及位于該第三區段外側的第四區段；形成第二光阻層于該第二種子層,該第二光阻層形成有第二開槽以顯露該第三區段；形成該第二緩沖層于該第二開槽,該第二緩沖層覆蓋該第二種子層之該第三區段；形成該焊料層于該第二緩沖層；移除該第二光阻層以顯露該第二種子層的該第四區段；及移除該第二種子層的該第四區段以使該第三區段形成該第二凸塊下金屬層。

前述的半導體工藝，其特征在于在移除該第二種子層的該第四區段的步驟后，另包含有回焊該焊料層的步驟。

前述的半導體工藝，其特征在于該第一種子層的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。

前述的半導體工藝，其特征在于該支撐層的材質選自于聚酰亞胺(Polyimide,PI)、聚對苯撐苯并二嗯唑（Poly-p-phenylene?benzo-bisoxazazole,PBO）或苯環丁烯(Benezocy-clobutene,BCB)其中之一。

前述的半導體工藝，其特征在于該第二種子層的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。

前述的半導體工藝，其特征在于該第一緩沖層的材質選自于銅或鎳其中之一。