[發明專利]半導體工藝及其結構

有效

• 申請號: 201210559290.4
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103871912A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 施政宏;謝永偉;王凱億
• 申請（專利權）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體工藝，其特征在于包含：

提供硅基板，該硅基板具有表面、導接墊及保護層，該導接墊形成于該表面，該保護層形成于該表面且覆蓋該導接墊，該保護層具有第一開口，該第一開口顯露該導接墊；

形成第一種子層于該保護層及該導接墊，該第一種子層具有第一區段及位于該第一區段外側的第二區段；

形成第一光阻層于該第一種子層，該第一光阻層形成有第一開槽以顯露該第一區段；

形成第一緩沖層于該第一開槽，該第一緩沖層覆蓋該第種子層的該第一區段，該第一緩沖層具有接合部及包埋部；

移除該第一光阻層以顯露該第一種子層的該第二區段；

移除該第一種子層的該第二區段以使該第一區段形成第一凸塊下金屬層；

形成支撐層于該保護層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，其中該第一凸塊下金屬層具有第一環壁，該第一緩沖層具有第二環壁，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部；以及

形成導接部于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。

2.如權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于該導接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層覆蓋該第一緩沖層的該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。

3.如權利要求2所述的半導體工藝，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。

4.如權利要求2所述的半導體工藝，其特征在于形成該導接部的工藝包含下列步驟：

形成第二種子層于該支撐層并覆蓋該第一緩沖層，該第二種子層具有第三區段及位于該第三區段外側的第四區段；

形成第二光阻層于該第二種子層，該第二光阻層形成有第二開槽以顯露該第三區段；

形成該第二緩沖層于該第二開槽，該第二緩沖層覆蓋該第二種子層的該第三區段；

形成該焊料層于該第二緩沖層；

移除該第二光阻層以顯露該第二種子層的該第四區段；及

移除該第二種子層的該第四區段以使該第三區段形成該第二凸塊下金屬層。

5.如權利要求4所述的半導體工藝，其特征在于在移除該第二種子層的該第四區段的步驟后，另包含有回焊該焊料層的步驟。

6.如權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于該第一種子層的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。

7.如權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于該支撐層的材質選自于聚酰亞胺、聚對苯撐苯并二嗯唑或苯環丁烯其中之一。

8.如權利要求4所述的半導體工藝，其特征在于該第二種子層的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。

9.如權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于該第一緩沖層的材質選自于銅或鎳其中之一。

10.如權利要求2所述的半導體工藝，其特征在于該第二緩沖層的材質選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。

11.如權利要求2所述的半導體工藝，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。

12.一種半導體結構，其特征在于包含：

硅基板，其具有表面、導接墊及保護層,該導接墊形成于該表面，該保護層形成于該表面且覆蓋該導接墊，該保護層具有第一開口，該第一開口顯露該導接墊；

第一凸塊下金屬層，其覆蓋該保護層及該導接墊，該第一凸塊下金屬層具有第一環壁；

第一緩沖層，其形成于該第一凸塊下金屬層，該第一緩沖層具有接合部、包埋部及第二環壁；

支撐層，其形成于該保護層、該第一凸塊下金屬層及該第一緩沖層,該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部；以及

導接部，其形成于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。

13.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于該導接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層形成于該第二開口，且覆蓋該第一緩沖層的該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。