[發(fā)明專利]對層間電介質進行可靠性分析的測試結構及測試方法

有效

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• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103887280A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 蘇捷峰;李德勇;郭曉超
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01R31/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于，所述測試結構至少包括：

形成于襯底上的多晶硅結構及絕緣介質結構；

第一接觸線結構，一端連接于所述襯底上的絕緣介質結構；

第一金屬條結構，連接于所述第一接觸線結構的另一端，所述第一金屬條結構用于連接偏置電壓；

第二接觸線結構，一端連接于所述多晶硅結構；

第二金屬條結構，連接于所述第二接觸線結構的另一端，所述第二金屬條結構用于連接偏置電壓；其中，相鄰的第一金屬條結構和第二金屬條結構之間的距離大于相鄰的第一接觸線結與多晶硅結構之間的距離；

層間電介質，覆蓋于所述形成有多晶硅結構及絕緣介質結構的襯底上，且所述層間電介質中形成有所述的第一接觸線結構、第二接觸線結構、第一金屬條結構及第二金屬條結構，其中，所述層間電介質至少使所述多晶硅結構和第一接觸線結構之間、所述第一接觸線結構和第二接觸線結構之間、及第一金屬條結構和第二金屬條結構之間形成隔離；

所述測試結構對位于所述多晶硅結構與第一接觸線結構之間的層間電介質進行檢測。

2.根據權利要求1所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述測試結構位于晶圓的切割道處。

3.根據權利要求1所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述測試結構還包括連接所述第一金屬條結構一端的第一墊片和連接所述第二金屬條結構一端的第二墊片，其中，所述第一墊片和第二墊片用于連接偏置電壓。

4.根據權利要求3所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述第一金屬條結構和第二金屬條結構均為梳齒狀條形結構，二者相互交叉形成互不接觸的指叉式結構。

5.根據權利要求3所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述第一金屬條結構和第二金屬條結構均為直線狀條形結構，二者相互交叉形成互不接觸的指叉式結構。

6.根據權利要求5所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述第一金屬條結構包括至少兩條第一金屬條，其中，所述第一墊片在橫向上的寬度大于所述的至少兩條第一金屬條在所述層間電介質中橫向排列的寬度。

7.根據權利要求5所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述第二金屬條結構包括至少兩條第二金屬條，其中，所述第二墊片在橫向上的寬度大于所述的至少兩條第二金屬條在所述層間電介質中橫向排列的寬度。

8.根據權利要求1所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述第一接觸線結構包括至少兩條第一接觸線，且各該第一接觸線之間形成有用于隔離的層間電介質；所述第二接觸線結構包括至少兩條第二接觸線，且各該第二接觸線之間形成有用于隔離的層間電介質。

9.根據權利要求1至8中任意一項所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述測試結構還包括形成于襯底上的有源區(qū)，其中，形成于所述有源區(qū)上的多晶硅柵極為所述多晶硅結構，對所述有源區(qū)進行隔離的隔離結構為所述絕緣介質結構，所述第一接觸線結構的一端連接于所述隔離結構，所述第二接觸線結構一端連接于所述多晶硅柵極，所述層間電介質覆蓋于所述有源區(qū)、隔離結構及多晶硅柵極上。

10.根據權利要求9所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述測試結構還包括位于所述有源區(qū)及多晶硅柵極之間的柵介質層。

11.根據權利要求10所述的對層間電介質進行可靠性分析的測試結構，其特征在于：所述測試結構還包括形成在所述柵介質層和多晶硅柵極側面的側墻結構。