[發明專利]發光封裝體及其制造方法

無效

• 申請號: 201210558391.X
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103035632A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 張效銓;蔡宗岳
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/54
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種發光封裝體，包括：

數個基底層；

一擋墻結構，配置在所述基底層上并定義出數個容置空間；

數個發光二極管芯片，配置在所述容置空間中，所述發光二極管芯片通過數個導線彼此電連接，其中該擋墻結構的上表面是高過所述發光二極管芯片的發光面；

數個透鏡，配置在所述容置空間中并位于所述發光二極管芯片上；以及

一透明封膠體，覆蓋所述透鏡與所述導線。

2.如權利要求1所述的發光封裝體，其中該擋墻結構具有不同的高度。

3.如權利要求1所述的發光封裝體，其中所述基底層彼此之間形成一上溝渠及一下溝渠，該上溝渠連通于下溝渠，該擋墻結構配置于該上溝渠上且自該下溝渠暴露。

4.如權利要求1所述的發光封裝體，其中所述基底層的材料為金屬。

5.如權利要求1所述的發光封裝體，其中該基底層具有一側面，該側面有一傾斜的上部與一傾斜的下部，而該傾斜的上部與該傾斜的下部的交界定義出一尖端。

6.一種發光封裝體的制造方法，包括：

形成一擋墻結構在數個基底層上并定義出數個容置空間；

配置數個發光二極管芯片在所述容置空間中且電連接所述發光二極管芯片，其中該擋墻結構的上表面是高過所述發光二極管芯片的發光面；

形成數個透鏡在所述容置空間中并位于所述發光二極管芯片上；以及

形成一透明封膠體于所述透鏡與所述導線上。

7.如權利要求6所述的發光封裝體的制造方法，其中所述透鏡的形成方法包括形成一膠體材料于所述容置空間中。

8.如權利要求7所述的發光封裝體的制造方法，其中所述透鏡的出光表面形態是決定于該膠體材料、該膠體用量與該擋墻結構的高度。

9.如權利要求6所述的發光封裝體的制造方法，其中所述透鏡與該透明封膠體是通過模制方式一同形成。

10.如權利要求6所述的發光封裝體的制造方法，更包括：

移除一基底結構的上部份并于該基底結構的上表面形成數個上溝渠；以及

移除該基底結構的下部份并于該基底結構的下表面形成數個下溝渠以形成所述基底層，其中所述上溝渠連通于所述下溝渠，且該擋墻結構填充于所述上溝渠并自所述下溝渠曝露。