[發明專利]發光封裝體及其制造方法

無效

• 申請號: 201210558391.X
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103035632A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 張效銓;蔡宗岳
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/54
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術領域

本發明是有關于一種發光封裝體及其制造方法，且特別是有關于發光二極管封裝及其制造方法。

背景技術

發光二極管(LED)是形成在晶粒上的半導體光源。LED在許多裝置中作為指示燈，而隨著發光二極管芯片的亮度與發光效率改善，LED更廣泛用于照明。

業界無不積極研究提升發光二極管封裝的發光效能及縮小裝置的方法，以符合商業需求。

然而，目前使用外加式的透鏡需開模制作。不同的發光二極管透鏡無法任意地整合使用，因此產品難以客制化設計。或者，為了達到客制化，不同出光效果的發光單位需要獨立開模制作，而提高成本。

發明內容

根據本發明的一實施例提出一種發光封裝體。發光封裝體包括基底層、擋墻結構、發光二極管芯片、透鏡與透明封膠體。擋墻結構配置在基底層上并定義出容置空間。發光二極管芯片配置在容置空間中且通過數個導線彼此電連接。擋墻結構的上表面是高過發光二極管芯片的發光面。透鏡配置在容置空間中并位于發光二極管芯片上。透明封膠體覆蓋透鏡與導線。

根據本發明的一實施例提出一種發光封裝體的制造方法。方法包括以下步驟。形成一擋墻結構在基底層上并定義出容置空間。配置發光二極管芯片在容置空間中且電連接發光二極管芯片。擋墻結構的上表面是高過發光二極管芯片的發光面。形成透鏡在容置空間中并位于發光二極管芯片上。形成透明封膠體于透鏡與導線上。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示根據一實施例的發光封裝體的剖面圖。

圖2繪示根據一實施例的發光封裝體的上視圖。

圖3繪示根據一實施例的發光封裝體的剖面圖。

圖4繪示根據一實施例的發光封裝體的剖面圖。

圖5A至圖5G繪示根據一實施例的發光封裝體的制造方法。

主要元件符號說明：

101～側面的上部；102、202～擋墻結構；103～側面的下部；104～基底結構；130～基底層；106、108～導電層；110～容置空間；112～發光二極管芯片；114～黏著層；118～發光面；120、220～透鏡；122、222～擋墻側壁；124～透明封膠層；126～螢光層；128、128A、128B～導線；132、134～光阻層；136、236～出光表面；338～一體成形的結構；S1～上溝渠；S2～下溝渠。

具體實施方式

請參照圖1，其繪示根據一實施例的發光封裝體的剖面圖。基底層104可為例如金屬板，材質如銅、銅合金或任意具良好導電導熱率材質。基底層104可具有導電層106、108于其上。基底層具有一側面，其具有一傾斜的上部101與一傾斜的下部103，其中傾斜的上部101與傾斜的下部103的交界定義出一尖端。

擋墻結構102配置在基底層104上。擋墻結構102可定義出數個容置空間110。容置空間110可彼此分開。

發光二極管芯片112可通過黏著層114貼附在容置空間110露出的基底層104的導電層106上。于實施例中，發光二極管芯片112是電性連接至基底層104。黏著層114的材質可具有導電特性。擋墻結構102的上表面高過發光二極管芯片112的發光面118。于一實施例中，舉例來說，擋墻結構102可使用具有反射功能的材料形成，以使射出光線集中。換句話說，發光封裝體的出光效果可經由調整擋墻結構102的高度、材料性質來控制，因此可具有高的發光效率。舉例來說，于此實施例中，發光封裝體的發光角度可經由調整擋墻結構具有一致的高度來達成。

透鏡120配置在擋墻結構102定義出的容置空間110中并位于發光二極管芯片112上。于實施例中，透鏡120是接觸擋墻結構102被容置空間110露出的擋墻側壁122。

透明封膠層124覆蓋擋墻結構102、透鏡120及導線128以保護其不受外環境的破壞。于一實施例中，可配置螢光層126在發光二極管芯片112上。

發光二極管芯片112可通過導線128彼此電性連接。于此實施例中，導線128的兩末端是耦接于不同發光二極管芯片112相同方向的側面上，換句話說，發光二極管芯片112是以水平的方式彼此電性連接。

在其他實施例中，發光封裝體可搭配使用其他光學元件來調整發光的性質，光學元件包括例如擴散片等。