[發明專利]激光處理裝置及其控制方法有效
| 申請號: | 201210557488.9 | 申請日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103413757A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發明(設計)人: | 沈亨基;蘇二彬;李基雄;安珍榮 | 申請(專利權)人: | AP系統股份有限公司;三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 郝新慧;張浴月 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 處理 裝置 及其 控制 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種激光處理裝置及其控制方法,尤其涉及一種激光處理裝置及其控制方法,該激光處理裝置能夠僅對襯底的待進行激光處理的部分選擇性地進行激光處理,并且能夠防止由于其中發生的振動而造成的故障。
背景技術
在制造半導體器件、平板顯示器(FPD)器件、或太陽能電池器件等時,當在高溫下沉積薄膜時,熱化學反應可能造成反應爐污染,或者可能產生不想要的化合物。
因而,使用激光激發的等離子體化學氣相沉積在低溫下沉積薄膜。
同時,由于隨著襯底規格的增大,很難確保薄膜沉積和退火時的均勻性,因此已經提出了包括激光退火處理的各種措施。
反應室設置有進氣口/出氣口,通過所述進氣口/出氣口而供應反應氣體或從反應室排放反應氣體,并且在反應室上端設置有石英玻璃窗口。激光裝置放置于該石英玻璃窗口上方,并且從該激光裝置發射的激光束經過該石英玻璃窗口并到達反應室中的襯底。
呈簾幕狀照射的激光束垂直于襯底或相對于襯底稍微傾斜。
襯底沿相對于激光束的一個方向水平移動,從而使激光束照射至襯底的整個表面。
名稱為“用于調節能量束的長度和強度的激光處理裝置”的韓國專利申請號10-2010-0138509A(公開于2010年12月31日)公開了本發明的現有技術。
然而,由于通用激光處理裝置將激光束照射至整個襯底以執行激光處理,激光束甚至會照射襯底的不需要進行處理的部分,從而很難減少激光處理的時間。
此外,通用激光處理裝置不能檢測其中發生的振動,因而不能防止因振動造成的故障。
因此,需要一種克服現有技術中的這類問題的激光處理裝置。
發明內容
本發明的目的在于提供一種激光處理裝置及其控制方法,該激光處理裝置能夠僅對襯底的待進行激光處理的部分選擇性地進行激光處理,并且能夠防止由于其中發生的振動而造成的故障。
根據本發明的一個方案,一種激光處理裝置包括:反應室,包括上面放置襯底的平臺;激光發生單元,發射激光束并包括激光束阻擋單元;光學單元,通過反射和折射所述激光束,將從該激光發生單元照射的激光束引入該反應室;振動檢測單元,檢測該反應室、該激光發生單元、該光學單元或該平臺的振動;以及控制器,根據從該振動檢測單元發送的振動信號確定是否操作該阻擋單元。
該振動檢測單元可包括:第一振動檢測傳感器,其被提供給(be?provided?to)該反應室;第二振動檢測傳感器,其被提供給該激光發生單元;第三振動檢測傳感器,其被提供給該光學單元;以及第四振動檢測傳感器,其被提供給該平臺。
根據本發明的另一個方案,一種激光處理裝置的控制方法,包括以下步驟:(a)確定包括上面放置襯底的平臺的反應室的振動幅度是否小于預設值;(b)當該反應室的振動幅度小于該預設值時,確定發射待照射到該反應室中的激光束的激光發生單元的振動幅度是否小于預設值;(c)當該激光發生單元的振動幅度小于預設值時,確定將從該激光發生單元照射的激光束引入該反應室的光學單元的振動幅度是否小于預設值;以及(d)當該光學單元的振動幅度小于預設值時,確定該平臺的振動幅度是否小于預設值。
該方法還可包括:當在步驟(a)中確定該反應室的振動幅度大于或等于該預設值時,通過該阻擋單元的操作阻擋所述激光束。
該方法還可包括:當在步驟(b)中確定該激光發生單元的振動幅度大于或等于該預設值時,通過該阻擋單元的操作阻擋所述激光束。
該方法還可包括:當在步驟(c)中確定該光學單元的振動幅度大于或等于該預設值時,通過該阻擋單元的操作阻擋所述激光束。
該方法還可包括:當在步驟(d)中確定該平臺的振動幅度大于或等于該預設值時,通過控制該平臺而補償(offset)所述振動。
在根據本發明的激光處理裝置及其控制方法中,由于激光束能夠僅照射襯底的待進行激光處理的部分,照射激光束的操作時間得以縮短,因而能夠減少激光處理的時間和成本。
此外,在根據本發明的激光處理裝置及其控制方法中,當裝置中發生振動時,該裝置通過檢測所述振動來補償該振動或停止激光處理,因此而防止因振動造成的故障。
附圖說明
根據下面結合附圖所做的具體描述,本發明的上述和其他目的、特征和其他優點將變得易于清楚理解,在附圖中:
圖1是根據本發明的一個實施例的激光處理裝置的透視圖;
圖2是根據本發明的實施例的激光處理裝置的反應室和標記單元的示意圖;
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





