[發明專利]激光處理裝置及其控制方法有效
| 申請號: | 201210557488.9 | 申請日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103413757A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發明(設計)人: | 沈亨基;蘇二彬;李基雄;安珍榮 | 申請(專利權)人: | AP系統股份有限公司;三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 郝新慧;張浴月 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 處理 裝置 及其 控制 方法 | ||
1.一種激光處理裝置,包括:
反應室,包括上面放置襯底的平臺;
激光發生單元,發射激光束并包括激光束阻擋單元;
光學單元,通過反射和折射從該激光發生單元照射的激光束,將所述激光束引入該反應室;
振動檢測單元,檢測該反應室、該激光發生單元、該光學單元或該平臺的振動;以及
控制器,根據從該振動檢測單元發送的振動信號確定是否操作該阻擋單元。
2.根據權利要求1所述的激光處理裝置,其中該振動檢測單元包括:第一振動檢測傳感器,其被提供給該反應室;第二振動檢測傳感器,其被提供給該激光發生單元;第三振動檢測傳感器,其被提供給該光學單元;以及第四振動檢測傳感器,其被提供給該平臺。
3.一種激光處理裝置的控制方法,包括以下步驟:
(a)確定包括上面放置襯底的平臺的反應室的振動幅度是否小于預設值;
(b)當該反應室的振動幅度小于該預設值時,確定發射待照射到該反應室中的激光束的激光發生單元的振動幅度是否小于預設值;
(c)當該激光發生單元的振動幅度小于預設值時,確定將從該激光發生單元照射的激光束引入該反應室的光學單元的振動幅度是否小于預設值;以及
(d)當該光學單元的振動幅度小于預設值時,確定該平臺的振動幅度是否小于預設值。
4.根據權利要求3所述的方法,還包括:當在步驟(a)中確定該反應室的振動幅度大于或等于該預設值時,通過該阻擋單元的操作阻擋所述激光束。
5.根據權利要求3所述的方法,還包括:當在步驟(b)中確定該激光發生單元的振動幅度大于或等于該預設值時,通過該阻擋單元的操作阻擋所述激光束。
6.根據權利要求3所述的方法,還包括:當在步驟(c)中確定該光學單元的振動幅度大于或等于該預設值時,通過該阻擋單元的操作阻擋所述激光束。
7.根據權利要求3所述的方法,還包括:當在步驟(d)中確定該平臺的振動幅度大于或等于該預設值時,通過控制該平臺來補償所述振動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





