[發明專利]淺溝槽隔離結構的形成方法

在審

• 申請號: 201210556439.3
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103050431A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 王碩;許忠義
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底內形成若干隔離溝槽；

在750℃~900℃溫度條件下，通過熱氧化工藝在所述隔離溝槽的底部和側壁以及隔離溝槽兩側的半導體襯底上形成襯墊氧化層；

在所述襯墊氧化層上形成氧化層，所述氧化層填滿底部和側壁形成有襯墊氧化層的隔離溝槽；

平坦化所述氧化層和襯墊氧化層，至暴露出所述半導體襯底，形成淺溝槽隔離結構。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述熱氧化工藝的反應氣體為反式二氯乙烯和氧氣的混合氣體。

3.如權利要求2所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，反應氣體中反式二氯乙烯的流量為0.08slm~0.24slm，氧氣的流量為8slm~15slm。

4.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述熱氧化工藝的壓強為1.013E5Pa。

5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，平坦化所述氧化層和襯墊氧化層的方法為化學機械研磨工藝。

6.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底的材料為硅、鍺硅或者絕緣體上硅。

7.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，在所述半導體襯底內形成若干隔離溝槽的方法為干法刻蝕。

8.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的刻蝕氣體為Cl₂、HBr和O₂的混合氣體或者He和CO₄的混合氣體。

9.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，形成氧化層的方法為高溫氧化工藝。

10.如權利要求9所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述高溫氧化工藝的反應氣體為硅烷和氧氣的混合氣體。