[發明專利]片式膜衰減器厚膜制作方法

有效

• 申請號: 201210555502.1
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103022629A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 羅彥軍;李勝;劉劍林;羅向陽;謝強;韓玉成;郭娜;廖東;蒿旅羅;謝旺陽
• 申請（專利權）人: 中國振華集團云科電子有限公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00
• 代理公司: 云南派特律師事務所 53110
• 代理人: 岳亞蘇

1.一種片式膜衰減器厚膜制作方法，其特征在于，包括絲網制作、印刷表電極、印刷背電極、印刷電阻體、激光調阻、裂片、端涂、電鍍，具體制作方法如下：

①按常規方法印刷絲網圖形制作、印刷表電極，保證印刷厚度干燥后達到13～22微米，印刷厚度燒成后達到6～13微米；

②按常規方法印刷背電極，保證印刷厚度干燥后達到8～17微米；

③將印刷有表、背電極的基片在850℃下燒成；

④采用常規印刷方式分步印刷電阻體，使電阻膜層與表電極膜層之間的錯位≤0.1毫米，并保證印刷膜厚干燥后達到14～22微米，印刷膜厚燒成后達到7～15微米；

⑤按常規方法印刷一次玻璃，保證印刷厚度干燥后達到12～26微米，在600℃下燒成；

⑥按常規方法印刷二次玻璃，印刷三層，將電阻體、一次玻璃及表電極W方向完全覆蓋，保證印刷膜厚干燥后達到30～70微米，印刷標志玻璃，端涂，600℃燒成；

⑦使用探針卡通過不同方向上切割對三個電阻采用逐次逼近法進行調阻，印刷包封層；

⑧按常規方式依次進行一次裂片、二次裂片、端涂；電鍍。

2.根據權利要求1所述的片式膜衰減器厚膜制作方法，其特征在于：所述步驟①、②、④中的表電極、背電極、電阻體的膜厚最大值與最小值之差值應小于等于4微米。

3.根據權利要求1所述的片式膜衰減器厚膜制作方法，其特征在于：所述步驟⑤中中的一次玻璃的膜厚最大值與最小值應小于等于6微米。

4.根據權利要求1所述的片式膜衰減器厚膜制作方法，其特征在于：所述電鍍為鎳電鍍及錫-鉛電鍍，電鍍后的產品經自然滴水50～100秒，再經脫水離心機脫水干燥5～10分鐘；之后在100±5℃烘箱中烘15±2分鐘；磁分選機分選；在70±5℃烘箱中烘5～10小時。

5.根據權利要求1所述的片式膜衰減器厚膜制作方法，其特征在于：將制作好的衰減器平鋪設置，并采用磁板進行100%吸磁，直至沒有吸不上磁板的產品為止，重復吸磁2～3次。