[發(fā)明專利]半導體芯片封裝結構及封裝方法

有效

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• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN102969286A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 王之奇;喻瓊;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種半導體芯片封裝結構，包括芯片封裝體，所述芯片封裝體包括：

芯片，所述芯片包括上表面、與上表面相背的下表面，所述下表面上設有感光區(qū)和焊墊；

基底，所述基底包括上表面，與上表面相背的下表面，所述基底上表面與所述芯片下表面連接；

焊球，所述焊球設置于所述芯片上表面；

導電層，電連接所述焊墊和所述焊球；

其特征在于，所述半導體芯片封裝結構還包括覆蓋于除基底下表面外的所有芯片封裝體外表面的氣相沉積高分子有機薄膜。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于，所述氣相沉積高分子有機薄膜為Parylene薄膜。

3.根據權利要求2所述的半導體芯片封裝結構，其特征在于，所述Parylene薄膜的厚度為1~10um。

4.一種半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一芯片，所述芯片包括上表面、與上表面相背的下表面，所述下表面上設有多個感光區(qū)和多個焊墊；

提供一基底，所述基底包括上表面，與上表面相背的下表面；

將所述基底的上表面與所述芯片的下表面壓合；

提供一膠帶，并將所述基底的下表面粘合在所述膠帶上；

在芯片上形成電連接所述焊墊的導電層；

在芯片的上表面形成至少一個電連接所述導電層的焊球；

切割所述芯片和所述基底，形成多個粘合于所述膠帶的芯片封裝體；

在每個芯片封裝體除基底下表面外的所有外表面上形成氣相沉積高分子有機薄膜。

5.根據權利要求4所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，在所述方法還包括：

通過剝離工藝用光刻膠在所述焊球的表面形成光阻，所述光阻在遠離所述焊球方向上與所述芯片的上表面形成的夾角小于90度；以及在形成氣相沉積高分子有機薄膜后，將所述光阻從所述焊球表面去除。

6.根據權利要求5所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述光阻包括位于所述焊球上方的上表面，以及由所述上表面向所述芯片上表面延伸且逐漸靠近所述焊球的側壁。

7.根據權利要求4所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，在所述“在芯片上形成電連接所述焊墊的導電層”步驟后，還包括：

在所述導電層上形成防焊層。

8.根據權利要求4所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，在“在每個芯片封裝體除基底下表面外的所有外表面上形成氣相沉積高分子有機薄膜”后，還包括：

去除所述膠帶，得到封裝完成的多個半導體芯片封裝結構。

9.根據權利要求4到8中任一項所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述氣相沉積高分子有機薄膜為Parylene薄膜。

10.根據權利要求9所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述Parylene薄膜的厚度為1~10um。