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[發明專利]N型直拉單晶硅的制備方法無效

專利信息
申請號: 201210553674.5 申請日: 2012-12-18
公開(公告)號: CN103014836A 公開(公告)日: 2013-04-03
發明(設計)人: 喬松;司佳勇;周浩;唐磊;尹東坡;郭凱 申請(專利權)人: 英利能源(中國)有限公司
主分類號: C30B15/00 分類號: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 代理人: 王寶筠
地址: 071051 河*** 國省代碼: 河北;13
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摘要:
搜索關鍵詞: 型直拉 單晶硅 制備 方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及單晶硅的制造技術,尤其涉及一種N型直拉單晶硅的制備方法。

背景技術

目前,制作單晶硅的最主要的方法為直拉法(CZ法),直拉單晶硅生產過程主要包括投料、抽空、熔料、穩定化、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻。單晶硅棒是直拉單晶硅方法形成的終端產品。單晶硅棒如圖1所示,包括肩部01、等徑部分02、尾部03,其中,等徑部分頭部021緊挨肩部01,約肩部01以下200mm之內。單晶棒的肩部01和尾部03在使用時將其切除,能夠使用的單晶硅棒的部分為等徑部分02。

目前,依據石英坩堝尺寸的不同,生產8寸N型直拉單晶硅的投料量一般為120kg或150kg。采用常規投料量時,等徑部分02重量占總投料量的比例一般為90%~92%,所占的重量比較低。單位重量硅棒成本較高。且常規投料量較小,限制了單晶爐的產能,在總產能要求一定的前提下,將需要購置更多的單晶爐,導致設備成本增加。為了降低單晶硅生產成本,增加投料量是最重要的方法之一。使用相同數量的石英坩堝,投料量越大,單位重量的硅單晶成本越低。

然而,如果在現有的直拉法制備硅單晶的方法的條件下,增加投料量(一般情況下,增加的投料量在常規投料量的基礎上不大于50kg),坩堝內的熔體高度會增加,制備出的硅單晶棒的等徑部分頭部021存在較多的晶體缺陷,如漩渦缺陷、氧化誘生層錯等。這是由于石英坩堝內熔體高度較高,熔體的熱對流較強(熱對流通常與熔體高度3次方成正比),較強的熱對流會增加熔體對氧的輸送能力且造成長晶界面(固液交界面)的溫度穩定性變差,進而導致單晶硅棒等徑部分頭部021的氧含量增加、少子壽命降低。單晶硅棒中少子壽命不滿足要求的部分如等徑部分頭部021將被去除,因而,在現有工藝條件下,增加投料量不但沒有降低成本,反而造成極大的浪費。

發明內容

有鑒于此,本發明提供了一種N型直拉單晶硅的工藝方法,以解決現有技術中增加投料量后導致等徑部分頭部氧含量增加、少子壽命縮短的問題。

為了解決上述技術問題,本發明采用的技術方案如下:

一種N型直拉單晶硅的制備方法,等徑過程包括等徑初期,采用的工藝條件包括,在所述等徑初期的平均拉速為1.2~1.6mm/min。

進一步地,采用的工藝條件還包括,所述等徑過程中的晶轉為8~12rpm。

進一步地,采用的工藝條件還包括,所述等徑過程中的堝轉為5~8rpm。

進一步地,采用的工藝條件還包括,所述等徑過程中的氬氣流量為40~70L/min。

進一步地,采用的工藝條件還包括,所述等徑過程中的氬氣的壓力為15~20torr。

與現有技術相比,本發明提供的N型直拉單晶硅的工藝方法,將單晶硅棒等徑初期的平均拉速提高到1.2~1.6mm/min,這樣,當投料量增加時,有效降低了單晶硅棒等徑部分頭部的氧含量,提高了少子壽命,從而提高了單晶硅棒的利用率,降低了成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為直拉單晶硅工藝生長的單晶硅棒的示意圖;

圖2是本發明實施例中等徑初期拉速對氧含量影響示意圖;

圖3是本發明實施例中等徑初期拉速對少子壽命影響示意圖;

圖4是本發明實施例中等徑初期拉速對低效片影響示意圖。

具體實施方式

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。

在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明,但是本發明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施,本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣,因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。

相關術語解釋:

直拉單晶硅:一種生長單晶硅的生長技術,不同的導電類型單晶硅需摻入不同元素,例如,摻入硼(B)為P型單晶硅,摻入磷(P)為N型單晶硅。

投料:是指將多晶硅料投入石英坩堝的過程,可以一次完成也可以通過特定設備分幾次完成。(太陽能級石英坩堝外徑通常為22寸或24寸,投料量一般為120kg或150kg)

氧含量/少子壽命:表征單晶硅內在品質的技術參數(在光伏領域,通常氧含量越低越好,少子壽命越高越好)。

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