[發明專利]N型直拉單晶硅的制備方法無效
| 申請號: | 201210553674.5 | 申請日: | 2012-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN103014836A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 喬松;司佳勇;周浩;唐磊;尹東坡;郭凱 | 申請(專利權)人: | 英利能源(中國)有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 071051 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 型直拉 單晶硅 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及單晶硅的制造技術,尤其涉及一種N型直拉單晶硅的制備方法。
背景技術
目前,制作單晶硅的最主要的方法為直拉法(CZ法),直拉單晶硅生產過程主要包括投料、抽空、熔料、穩定化、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻。單晶硅棒是直拉單晶硅方法形成的終端產品。單晶硅棒如圖1所示,包括肩部01、等徑部分02、尾部03,其中,等徑部分頭部021緊挨肩部01,約肩部01以下200mm之內。單晶棒的肩部01和尾部03在使用時將其切除,能夠使用的單晶硅棒的部分為等徑部分02。
目前,依據石英坩堝尺寸的不同,生產8寸N型直拉單晶硅的投料量一般為120kg或150kg。采用常規投料量時,等徑部分02重量占總投料量的比例一般為90%~92%,所占的重量比較低。單位重量硅棒成本較高。且常規投料量較小,限制了單晶爐的產能,在總產能要求一定的前提下,將需要購置更多的單晶爐,導致設備成本增加。為了降低單晶硅生產成本,增加投料量是最重要的方法之一。使用相同數量的石英坩堝,投料量越大,單位重量的硅單晶成本越低。
然而,如果在現有的直拉法制備硅單晶的方法的條件下,增加投料量(一般情況下,增加的投料量在常規投料量的基礎上不大于50kg),坩堝內的熔體高度會增加,制備出的硅單晶棒的等徑部分頭部021存在較多的晶體缺陷,如漩渦缺陷、氧化誘生層錯等。這是由于石英坩堝內熔體高度較高,熔體的熱對流較強(熱對流通常與熔體高度3次方成正比),較強的熱對流會增加熔體對氧的輸送能力且造成長晶界面(固液交界面)的溫度穩定性變差,進而導致單晶硅棒等徑部分頭部021的氧含量增加、少子壽命降低。單晶硅棒中少子壽命不滿足要求的部分如等徑部分頭部021將被去除,因而,在現有工藝條件下,增加投料量不但沒有降低成本,反而造成極大的浪費。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種N型直拉單晶硅的工藝方法,以解決現有技術中增加投料量后導致等徑部分頭部氧含量增加、少子壽命縮短的問題。
為了解決上述技術問題,本發明采用的技術方案如下:
一種N型直拉單晶硅的制備方法,等徑過程包括等徑初期,采用的工藝條件包括,在所述等徑初期的平均拉速為1.2~1.6mm/min。
進一步地,采用的工藝條件還包括,所述等徑過程中的晶轉為8~12rpm。
進一步地,采用的工藝條件還包括,所述等徑過程中的堝轉為5~8rpm。
進一步地,采用的工藝條件還包括,所述等徑過程中的氬氣流量為40~70L/min。
進一步地,采用的工藝條件還包括,所述等徑過程中的氬氣的壓力為15~20torr。
與現有技術相比,本發明提供的N型直拉單晶硅的工藝方法,將單晶硅棒等徑初期的平均拉速提高到1.2~1.6mm/min,這樣,當投料量增加時,有效降低了單晶硅棒等徑部分頭部的氧含量,提高了少子壽命,從而提高了單晶硅棒的利用率,降低了成本。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為直拉單晶硅工藝生長的單晶硅棒的示意圖;
圖2是本發明實施例中等徑初期拉速對氧含量影響示意圖;
圖3是本發明實施例中等徑初期拉速對少子壽命影響示意圖;
圖4是本發明實施例中等徑初期拉速對低效片影響示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。
在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明,但是本發明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施,本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣,因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
相關術語解釋:
直拉單晶硅:一種生長單晶硅的生長技術,不同的導電類型單晶硅需摻入不同元素,例如,摻入硼(B)為P型單晶硅,摻入磷(P)為N型單晶硅。
投料:是指將多晶硅料投入石英坩堝的過程,可以一次完成也可以通過特定設備分幾次完成。(太陽能級石英坩堝外徑通常為22寸或24寸,投料量一般為120kg或150kg)
氧含量/少子壽命:表征單晶硅內在品質的技術參數(在光伏領域,通常氧含量越低越好,少子壽命越高越好)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英利能源(中國)有限公司,未經英利能源(中國)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210553674.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





