[發明專利]疏水鍍膜液及其所制備的抗污抗指紋鍍膜層的生產工藝無效
| 申請號: | 201210551082.X | 申請日: | 2012-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN103865390A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 方銘國;蕭建仁 | 申請(專利權)人: | 锜瑋科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | C09D183/12 | 分類號: | C09D183/12;C09D7/12;C03C17/30;B05D3/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 疏水 鍍膜 及其 制備 抗污抗 指紋 生產工藝 | ||
技術領域
本發明涉及鍍膜領域技術,尤其是指一種疏水鍍膜液及其所制備的抗污抗指紋鍍膜層的生產工藝。
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背景技術
抗污、抗指紋膜層的功能即是降低物體表面的表面能(如玻璃或金屬表面),形成一種超疏水特性的膜層。改變物體表面能的兩種方法,一種是物理性表面粗糙改質法:根據自潔理論,表面為結構越粗糙,可產生越優良的疏水自潔效果,但粗糙的表面會造成可見光的嚴重散射,使涂層呈現非透明狀態,并使機械物性如接著、抗磨等效果下降,此方法于目前保護玻璃產業并不適用;另一種方法是加入氟官能團的基團至高分子鏈上,伴隨著烷基上氫原子被氟原子取代數目的增加,其表面能亦隨著下降,物質表面可構成最低表面能與最高水滴觸角的材料,是以-CF3形成的六方最密堆積之分子薄膜,其接觸角可以達到120°,所有平坦表面結構的材料與水的接觸角不會超過120°,因此一般含氟的高分子具有優越的疏水特性,只是這些含氟高分子與基材之間的范德華力很微弱,將會造成與基材的附著力不佳而無法直接涂覆于基材上。
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發明內容
有鑒于此,本發明針對現有技術存在之缺失,其主要目的是提供一種疏水鍍膜液以及由該疏水鍍膜液所制備的具有抗污抗指紋的鍍膜層及其生產工藝,該鍍膜層具有良好的抗污抗指紋性能且具有良好的超疏水性能和耐磨性能。
為實現上述目的,本發明采用如下之技術方案:一種疏水鍍膜液,包括有:氟硅氧烷100質量份、全氟聚醚0.1~0.5質量份、蒸餾水或去離子水1~20質量份、醇10~50質量份以及無機酸0.1~2質量份。
所述氟硅氧烷的化學結構式為CF3-CF2-CF2-CF2-CF2-O-Si-(OCH3)3?;該氟硅氧烷由含有全氟丁基醚的組合物及硅氧烷相互反應而成,該全氟丁基醚組合物為聚九氟丁基醚組合物。該CF3-CF2-CF2-CF2-CF2-O-Si-(OCH3)3?中的-?OCH3為可水解的烷氧基。
所述全氟聚醚的化學結構式為CF3-O-(CF2-O-CF2-CF2-O)n-CF3?。該全氟聚醚能夠和硅氧烷相互反應。
所述醇為甲醇或乙醇中的一種或兩種。
所述無機酸為鹽酸或硫酸或硝酸中的一種或幾種。該無機酸對鍍膜層的形成具有催化促進作用。
一種應用前述疏水鍍膜液制備的抗污抗指紋鍍膜層的生產工藝,包括如下步驟:
a、首先將需要進行抗污抗指紋鍍膜的基材進行清洗,清洗后在基材的表面上進行羥基化處理;經處理后的基材表面形成有羥基(-OH);
b、將疏水鍍膜液倒入噴鍍設備中,并將羥基化后的基材放入噴鍍設備中進行噴鍍作業;在疏水鍍膜液中CF3-CF2-CF2-CF2-CF2-O-Si-(OCH3)3中的烷氧基(-OCH3)水解生成羥基(-OH);
c、將噴鍍后的基材放入烘烤箱中進行烘烤;烘烤溫度為150℃;烘烤時間為30分鐘。前述氟硅氧烷水解后的產生的羥基在該烘烤過程中易于與基材表面上的羥基反應失去一個水分子(H2O),將氟硅氧烷牢牢與基材相結合;即所形成的鍍膜層很好的附著于基材上。此時全氟聚醚通過一系列的反應后也能夠有效的附著于基材上。
d、最后,將烘烤后的基材取出冷卻10分鐘即得具有抗污抗指紋鍍膜層的基材。
所述基材為玻璃。
所述噴鍍設備為大氣奈米噴鍍設備。
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