[發(fā)明專利]有源有機電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法

無效

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• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103021336A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋小鋒;吳為敬;彭俊彪
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 蔡茂略

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法，尤其是一種有源有機電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法。屬于平面顯示技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

OLED（Organic?Light-Emitting?Diode），即有機發(fā)光二極管，因其具有眾多的優(yōu)點，如主動發(fā)光無需背光源，視角寬，響應(yīng)速度快，可以做成柔性顯示等，所以O(shè)LED被譽為新一代顯示器。

OLED顯示的驅(qū)動方式分為有源驅(qū)動（AMOLED）和無源驅(qū)動（PMOLED）。采用無源驅(qū)動，隨著屏幕尺寸的增大和分辨率的提高，會引發(fā)很多的問題，如壽命縮短，可靠性變差等。

有源驅(qū)動的每個像素配備具有開關(guān)功能的薄膜晶體管（Thin-film-transistor，TFT）以及相應(yīng)的存儲電容來單獨驅(qū)動每一個像素單元，使每一個像素單元獨立地進行開和關(guān)。有源驅(qū)動無占空比，驅(qū)動不受掃描電極數(shù)的限制等問題，并且易于實現(xiàn)高亮度和高分辨率，使OLED的可靠性更好，顯示質(zhì)量更加優(yōu)異，

目前，主流的TFT種類大概有a-Si:H（氫化非晶硅）TFT和LTPS（低溫多晶硅）TFT。另外近年來發(fā)展比較迅速的還有金屬氧化物TFT和有機TFT。另外，根據(jù)器件有源層材料的不同以及摻雜的不同，TFT又可以分為N型和P型，增強型和耗盡型TFT器件。

a-Si:H?TFT具有工藝簡單、價格低、制備成品率高、關(guān)態(tài)漏電流小等特點，但由于其載流子的遷移率低，器件的尺寸比較大，容易使器件的閾值電壓漂移，并且用于驅(qū)動a-Si:H?TFT的驅(qū)動電壓和信號電壓都比較大，這些不利的因素都會使OLED像素的開口率下降，OLED的壽命縮減。

LTPS?TFT相對于a-Si:H?TFT，具有載流子遷移率高，易于顯示屏周邊電路的集成，但是其成本較高，并且工藝不成熟，多晶硅TFT器件的閾值電壓和遷移率等器件參數(shù)均勻性不好，這都會使OLED顯示的均勻性和可靠性受到嚴重影響。

目前的AMOLED像素電路，主要采用傳統(tǒng)的兩個薄膜晶體管和一個存儲電容的方式驅(qū)動的方式，該驅(qū)動方式具有原理易懂、結(jié)構(gòu)簡單、易于制備等優(yōu)點。但該驅(qū)動方式為兩管驅(qū)動形式，由于無法對非晶硅薄膜晶體管的閾值電壓漂移和多晶硅閾值電壓不均勻進行補償，從而導(dǎo)致OLED顯示器的亮度不均，可靠性差。另外，OLED器件在長時間工作后，會出現(xiàn)器件退化問題，導(dǎo)致其開啟電壓變大，從而會影響流過OLED器件的電流，進而影響整個OLED顯示屏的亮度。因此為了解決傳統(tǒng)兩管驅(qū)動的缺點以及OLED器件退化對OLED顯示器所造成的影響，使OLED顯示實現(xiàn)大尺寸，高分辨率，高質(zhì)量顯示的要求，需要新的像素電路，對驅(qū)動晶體管的閾值電壓漂移及OLED器件退化等問題進行補償。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種能有效地提高OLED的顯示質(zhì)量，延長OLED器件的壽命的有源有機電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動電路。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種有源有機電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法。

本發(fā)明的目的可以通過采取如下技術(shù)方案達到：

有源有機電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動電路，其特征在于：包括驅(qū)動晶體管T1、開關(guān)晶體管T2~T4、存儲電容Cs、掃描控制線Vcontrol1與Vcontrol2、發(fā)光掃描控制線Vems、數(shù)據(jù)線Vdata、電源線Vdd、地線Vss、參考電壓線Vref以及有機發(fā)光二級管OLED；其中，

所述驅(qū)動晶體管T1的柵極與開關(guān)晶體管T2的漏極和存儲電容Cs的A端相連，源極與存儲電容Cs的B端、有機發(fā)光二級管OLED的陰極和開關(guān)晶體管T4的漏極相連，漏極與開關(guān)晶體管T3的源極相連；

所述開關(guān)晶體管T2的柵極與掃描控制線Vcontrol1相連，源極與數(shù)據(jù)線Vdata相連；

所述開關(guān)晶體管T3的柵極與發(fā)光掃描控制線Vems相連，漏極與地線Vss相連；

所述開關(guān)晶體管T4的柵極與掃描控制線Vcontrol2相連，源極與參考電壓線Vref相連；

所述有機發(fā)光二級管OLED的陽極與電源線Vdd相連。

作為一種優(yōu)選方案，所述驅(qū)動晶體管T1和開關(guān)晶體管T2~T4都為p型晶體管。

作為一種優(yōu)選方案，所述p型晶體管為多晶硅薄膜晶體管或有機薄膜晶體管。

本發(fā)明的另一目的可以通過采取如下技術(shù)方案達到：

有源有機電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，其特征在于：所述方法包括以下四個階段：