[發(fā)明專(zhuān)利]有源有機(jī)電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210548991.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103021336A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋小鋒;吳為敬;彭俊彪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G09G3/32
• 分類(lèi)號(hào): G09G3/32
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 蔡茂略

1.有源有機(jī)電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：包括驅(qū)動(dòng)晶體管T1、開(kāi)關(guān)晶體管T2~T4、存儲(chǔ)電容Cs、掃描控制線Vcontrol1與Vcontrol2、發(fā)光掃描控制線Vems、數(shù)據(jù)線Vdata、電源線Vdd、地線Vss、參考電壓線Vref以及有機(jī)發(fā)光二級(jí)管OLED；其中，

所述驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極與開(kāi)關(guān)晶體管T2的漏極和存儲(chǔ)電容Cs的A端相連，源極與存儲(chǔ)電容Cs的B端、有機(jī)發(fā)光二級(jí)管OLED的陰極和開(kāi)關(guān)晶體管T4的漏極相連，漏極與開(kāi)關(guān)晶體管T3的源極相連；

所述開(kāi)關(guān)晶體管T2的柵極與掃描控制線Vcontrol1相連，源極與數(shù)據(jù)線Vdata相連；

所述開(kāi)關(guān)晶體管T3的柵極與發(fā)光掃描控制線Vems相連，漏極與地線Vss相連；

所述開(kāi)關(guān)晶體管T4的柵極與掃描控制線Vcontrol2相連，源極與參考電壓線Vref相連；

所述有機(jī)發(fā)光二級(jí)管OLED的陽(yáng)極與電源線Vdd相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)晶體管T1和開(kāi)關(guān)晶體管T2~T4都為p型晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)電致發(fā)光顯示器的交流像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：所述p型晶體管為多晶硅薄膜晶體管或有機(jī)薄膜晶體管。

4.基于權(quán)利要求1所述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于：所述方法包括以下四個(gè)階段：

1）有機(jī)發(fā)光二極管OLED的極性反轉(zhuǎn)階段

將掃描控制線Vcontrol1和Vcontrol2設(shè)置為低電平，分別把開(kāi)關(guān)晶體管T2和T4打開(kāi)，將發(fā)光掃描控制線Vems設(shè)置為高電平，把開(kāi)關(guān)晶體管T3關(guān)閉；此時(shí)數(shù)據(jù)線Vdata通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管T2向存儲(chǔ)電容Cs的A端，即驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極寫(xiě)入Vdd電平，同時(shí)參考電壓線Vref通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管T4向有機(jī)發(fā)光二極管的陰極，即存儲(chǔ)電容Cs的B端寫(xiě)入電壓Vref，這樣OLED處于不發(fā)光的極性反轉(zhuǎn)階段；

2）驅(qū)動(dòng)晶體管T1的閾值電壓鎖存階段

掃描控制線Vcontrol1繼續(xù)保持低電平，使開(kāi)關(guān)晶體管T2繼續(xù)導(dǎo)通，掃描控制線Vcontrol2變?yōu)楦唠娖剑验_(kāi)關(guān)晶體管T4關(guān)閉，發(fā)光掃描控制線Vems變?yōu)榈碗娖剑验_(kāi)關(guān)晶體管T3打開(kāi)；此時(shí)數(shù)據(jù)線Vdata繼續(xù)向存儲(chǔ)電容Cs的A端寫(xiě)入Vdd電平，存儲(chǔ)電容Cs的B端通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T1和開(kāi)關(guān)晶體管T3向地線Vss放電，直到驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵源電壓Vgs等于其閾值電壓Vth，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管T1的閾值電壓Vth被儲(chǔ)存在存儲(chǔ)電容Cs上；

3）灰階數(shù)據(jù)電壓寫(xiě)入階段

掃描控制線Vcontrol1保持低電平，使開(kāi)關(guān)晶體管T2繼續(xù)導(dǎo)通，掃描控制線Vcontrol2保持高電平，使開(kāi)關(guān)晶體管T4繼續(xù)關(guān)閉，發(fā)光控制線Vems變?yōu)楦唠娖剑验_(kāi)關(guān)晶體管T3關(guān)閉；此時(shí)數(shù)據(jù)線Vdata通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管T2向驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極，即存儲(chǔ)電容的A端寫(xiě)入數(shù)據(jù)電壓信號(hào)Vdata，該數(shù)據(jù)電壓信號(hào)通過(guò)由存儲(chǔ)電容Cs和OLED器件的等效電容C_OLED級(jí)聯(lián)所形成的電容耦合效應(yīng)寫(xiě)入，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵源電壓變成Vth+(C_OLED)/(Cs+C_OLED)*Vdata，并儲(chǔ)存在存儲(chǔ)電容Cs上；

4）OLED發(fā)光階段

掃描控制線Vcontrol1變?yōu)楦唠娖?，把開(kāi)關(guān)晶體管T2關(guān)閉，掃描控制線Vcontrol2保持高電平，使開(kāi)關(guān)晶體管T4繼續(xù)關(guān)閉，發(fā)光控制線Vems變?yōu)榈碗娖?，把開(kāi)關(guān)晶體管T3打開(kāi)，數(shù)據(jù)線Vdata的電壓信號(hào)變回Vdd；此時(shí)存儲(chǔ)電容Cs維持著驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵源電壓，使驅(qū)動(dòng)晶體管T1工作在飽和區(qū)，使OLED流過(guò)恒定的電流從而發(fā)出相應(yīng)的灰階亮度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)晶體管T1工作在飽和區(qū)，開(kāi)關(guān)晶體管T2~T4工作在線性區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于：在步驟1）有機(jī)發(fā)光二極管OLED的極性反轉(zhuǎn)階段中，所述電壓Vref滿足|Vref|>|Vdd|+|Vth|，其中Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管T1的閾值電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于：在步驟2）驅(qū)動(dòng)晶體管T1的閾值電壓鎖存階段中，存儲(chǔ)電容Cs鎖存著驅(qū)動(dòng)晶體管T1的閾值電壓Vth。

8.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于：在步驟4）OLED發(fā)光階段中，流過(guò)OLED的電流表達(dá)式如下：

I_OLED=K*(Vgs-Vth)²

=K*(Vth+(C_OLED)/(Cs+C_OLED)*Vdata-Vth)²

=K*((C_OLED)/(Cs+C_OLED)*Vdata)²

其中，K=1/2*Cox*up*W/L，為驅(qū)動(dòng)晶體管T1工作在飽和區(qū)的增益，Cox為單位面積的絕緣層電容，W和L分別為驅(qū)動(dòng)晶體管T1的溝道寬度和長(zhǎng)度，up為驅(qū)動(dòng)晶體管T1的載流子遷移率。