[發明專利]一種半導體封裝器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210548637.5
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103165475A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 秦飛;夏國峰;安彤;劉程艷;武偉;朱文輝
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種半導體封裝器件的制造方法，包括以下步驟：

（a）采用曝光顯影方法，在金屬基材上表面形成具有窗口的掩膜材料層；

（b）以具有窗口的掩膜材料層作為抗蝕層，對金屬基材上表面進行蝕刻，形成外芯片載體、外引腳和凹槽；

（c）移除配置于金屬基材上表面的掩膜材料層；

（d）采用曝光顯影方法，在凹槽內部和上方位置制作具有窗口的掩膜材料層；

（e）依次采用化學鍍和電鍍方法在掩膜材料層的窗口中制作內芯片載體和內引腳，形成具有臺階結構的芯片載體和引腳，其中芯片載體包括內芯片載體和外芯片載體，引腳包括內引腳和外引腳；

（f）采用電鍍或化學鍍方法在內芯片載體和內引腳的表面上配置第一金屬材料層；

（g）移除配置于凹槽內部和上方位置的掩膜材料層；

（h）通過粘貼材料將IC芯片配置于內芯片載體或內引腳表面的第一金屬材料層上；

（i）IC芯片上的多個鍵合焊盤通過金屬導線分別連接至內芯片載體和內引腳配置的第一金屬材料層；

（j）采用注塑方法用塑封材料包覆密封IC芯片、粘貼材料、金屬導線、內芯片載體、內引腳和第一金屬材料層，塑封后進行烘烤后固化；

（k）采用機械磨削方法或者蝕刻方法對金屬基材進行減薄，形成獨立的芯片載體和引腳；

（l）采用化學鍍方法在外芯片載體和外引腳的表面上制作第二金屬材料層；

（m）分離形成獨立的單個封裝件。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝器件的制造方法，其特征在于，經蝕刻方法形成的外芯片載體和外引腳的厚度范圍為0.03mm-0.15mm。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝器件的制造方法，其特征在于，依次采用化學鍍和電鍍方法制作的內芯片載體和內引腳的厚度范圍為0.03mm-0.15mm。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝器件的制造方法，其特征在于，采用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割分離形成單個封裝件，且僅切割塑封材料。