[發明專利]已做發射區推進的三極管hfe的二次增大方法

有效

• 申請號: 201210548254.8
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103050402A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 彭充;徐國耀;高志偉;趙彥云
• 申請（專利權）人: 深圳深愛半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及雙極結型晶體管的制造方法，特別是涉及一種已做發射區推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法。

背景技術

在制造雙極結型晶體管（BJT，簡稱三極管）的過程中，需要對三極管的發射區進行P型雜質的主擴散（簡稱P主擴），即將晶圓表面的P型雜質通過主擴散工藝推進到晶圓內部一定的深度，以期獲得所需的小信號正向電流增益（h_fe）。

在做完P主擴后，晶圓中三極管的小信號正向電流增益h_fe已經確定，這是因為基區和發射區已經形成，此時可以對h_fe進行測試。傳統對于h_fe偏小的三極管，需要進行報廢處理。但這會造成浪費，增加成本。

發明內容

基于此，有必要提供一種已做發射區推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法。

一種已做發射區推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法，包括下列步驟：測試晶圓上三極管的小信號正向電流增益；若小信號正向電流增益低于合格值，則對所述晶圓進行小信號正向電流增益的二次增大，具體包括：將所述晶圓置于擴散爐內，爐內環境為第一溫度且通入保護氣體；將所述擴散爐的爐內溫度升溫至第二溫度；將所述擴散爐在第二溫度附近保溫一段時間；保溫時間由需要達到的小信號正向電流增益決定，增益越大所述保溫時間越長；將所述爐內溫度降溫至第三溫度，然后取出所述晶圓；所述第一溫度為600～800攝氏度，所述第二溫度為1000～1100攝氏度，所述第三溫度為600～800攝氏度。

在其中一個實施例中，所述保護氣體為氧氣，所述將所述擴散爐的爐內溫度升溫至第二溫度的步驟中保持氧氣環境，所述將擴散爐在第二溫度附近保溫一段時間的過程中通入氮氣使爐內變為氮氣環境。

在其中一個實施例中，所述第二溫度為1050攝氏度。

在其中一個實施例中，所述第一溫度和第三溫度為700攝氏度。

在其中一個實施例中，所述需要達到的小信號正向電流增益和保溫時間滿足如下關系：其中T為所述保溫時間，單位分鐘，h_fe為所述小信號正向電流增益。

上述已做發射區推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法，對h_fe達不到所需倍數的晶圓進行h_fe的二次增大，增大后的h_fe能夠符合要求，從而降低了不良損耗，節省了成本。

附圖說明

圖1是一實施例中已做發射區推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。

圖1是一實施例中已做發射區推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法的流程圖，包括下列步驟：

S110，測試晶圓上三極管的小信號正向電流增益。

在P主擴完成后，測試晶圓上的雙極結型晶體管的小信號正向電流增益（h_fe）。

S120，判斷h_fe是否低于合格值。

若h_fe高于合格值，則不需要進行h_fe的二次增大，否則進入步驟S130。

S130，將晶圓置于擴散爐內，爐內環境為第一溫度且通入保護氣體。

將需要進行h_fe二次增大的晶圓置于處于600～800攝氏度、優選為700攝氏度的擴散爐內，并向爐內通入氧氣。本實施例中通入氧氣是因為需要在后續步驟中通入氮氣對晶圓進行保護，但是晶圓中的某些物質會在高溫下與氮氣發生反應，故需要在此步驟中通入氧氣而在晶圓表面生長一層二氧化硅，從而保護晶圓使其不會在高溫下與氮氣反應生成氮化硅。在其它實施例中，也可以采用氖氣等惰性氣體作為保護氣體，但其成本較高。

S140，將散爐的爐內溫度升溫至第二溫度。

在氧氣環境中將爐內溫度升溫至1000～1100攝氏度，優選為1050攝氏度。

S150，將擴散爐在第二溫度附近保溫一段時間。