[發(fā)明專利]已做發(fā)射區(qū)推進的三極管hfe的二次增大方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210548254.8 | 申請日: | 2012-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN103050402A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彭充;徐國耀;高志偉;趙彥云 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/331 | 分類號: | H01L21/331 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)射 推進 三極管 sub fe 二次 增大 方法 | ||
1.一種已做發(fā)射區(qū)推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法,其特征在于,包括下列步驟:
測試晶圓上三極管的小信號正向電流增益;
若小信號正向電流增益低于合格值,則對所述晶圓進行小信號正向電流增益的二次增大,具體包括:
將所述晶圓置于擴散爐內(nèi),爐內(nèi)環(huán)境為第一溫度且通入保護氣體;
將所述擴散爐的爐內(nèi)溫度升溫至第二溫度;
將所述擴散爐在第二溫度附近保溫一段時間;保溫時間由需要達到的小信號正向電流增益決定,增益越大所述保溫時間越長;
將所述爐內(nèi)溫度降溫至第三溫度,然后取出所述晶圓;
所述第一溫度為600~800攝氏度,所述第二溫度為1000~1100攝氏度,所述第三溫度為600~800攝氏度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的已做發(fā)射區(qū)推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法,其特征在于,所述保護氣體為氧氣,所述將所述擴散爐的爐內(nèi)溫度升溫至第二溫度的步驟中保持氧氣環(huán)境,所述將擴散爐在第二溫度附近保溫一段時間的過程中通入氮氣使?fàn)t內(nèi)變?yōu)榈獨猸h(huán)境。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的已做發(fā)射區(qū)推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法,其特征在于,所述第二溫度為1050攝氏度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的已做發(fā)射區(qū)推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法,其特征在于,所述第一溫度和第三溫度為700攝氏度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的已做發(fā)射區(qū)推進的三極管小信號正向電流增益的二次增大方法,其特征在于,所述需要達到的小信號正向電流增益和保溫時間滿足如下關(guān)系:其中T為所述保溫時間,單位分鐘,hfe為所述小信號正向電流增益。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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