[發明專利]適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法

有效

• 申請號: 201210547866.5
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103066152A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 黃書斌;錢峰;汪燕玲;連維飛;魏青竹
• 申請（專利權）人: 中利騰暉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B41M1/12;B41M1/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種正電極網版制造方法，尤其涉及一種適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法。

背景技術

就現有的光伏產業來說，晶體硅太陽能片中正電極柵線電極作用巨大，其充當收集光生載流子的作用。同時，對于普通P型基體晶硅電池來說，載流子的產生的多少(短路電流的大小)與載流子在收集過程中的損耗多少(串聯電阻的大小)很大程度上決定了電池片的電學性能的優劣。

同時，提高電池效率主要是通過密柵線正電極設計配合高方阻發射結來達到：高方阻主要是提高藍光響應，但是由于方阻高，柵線的橫向電阻增大，采取密柵線印刷來降低橫向電阻的損耗，達到提升效率的目的。

國內外光伏企業主要采用POCL3液態源擴散來制備高方阻發射結，采用該方法制備的高方阻發射結均勻性較差，片內中心比四周邊緣區域方阻值大很多；如采用普通的密柵線網版設計，中心方阻值較大區域串聯電阻損耗大，而邊緣遮光損失較大，使得整塊電池片的效率提升不明顯。

發明內容

本發明的目的就是為了解決現有技術中存在的上述問題，提供一種適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法。

本發明的目的通過以下技術方案來實現：

適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其包括以下步驟：步驟①，在硅片表面制作絨面；步驟②，對硅片進行清晰后，將硅片置入擴散爐中進行擴散工序，在硅片表面形成高方阻發射結；步驟③，去除硅片邊結；步驟④，在高方阻發射結表面制作氮化硅膜；步驟⑤，電極、電場共燒處理；步驟⑥，進行柵線印刷。

上述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其中：所述的步驟①中通過硝酸、氫氟酸混合液或是氫氧化鈉溶液制作絨面。

進一步地，上述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其中：步驟②中采用鹽酸、氫氟酸溶液清洗，擴散工序為，溫度為800～900℃，通入氣體為氮氣、氧氣、三氯氧磷混合氣體，處理時間為30-90分鐘，在硅片表面形成65-100Ω/sqr高方阻發射結。

更進一步地，上述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其中：所述的步驟③中利用濕法刻蝕或是等離子刻蝕設備去除硅片邊結。

更進一步地，上述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其中：所述的步驟④中采用PECVD設備在高方阻發射結表面制作氮化硅膜，膜厚為80-90um，折射率為2.0-2.15。

更進一步地，上述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其中：所述的步驟⑤中采用絲網印刷設備制備正、背面電極以及背面電場，通過燒結爐進行電極、電場共燒處理。

更進一步地，上述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其中：所述的步驟⑥中硅片中心處方阻值較高的區域，采用密集的柵線印刷圖形，硅片邊緣處方阻值較低的區域，采用次密的柵線印刷圖形，所述密集的柵線的根數大于次密的柵線，所述密集的柵線相互之間的間距小于次密的柵線相互之間的間距。

更進一步地，上述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其中：所述次密的柵線印刷圖形采用逐次降低柵線間距的方式向密集的柵線印刷圖形過渡。

再進一步地，上述的適用于太陽能高方阻電池的正電極網版制造方法，其中：所述次密的柵線印刷圖形與密集的柵線印刷圖形均劃分為1-10個區域，每個區域均采用不同的柵線間距。

本發明技術方案的優點主要體現在：根據高方阻發射結的均勻性較差特性，設計不等間距柵線的印刷圖形，解決了中心高方阻值區域串聯電阻損耗較大問題以及邊緣低方阻區域遮光損耗問題，提高了電池片效率。同時，依托于柵線變化區域的存在，可以降低了印刷時的單耗，節約漿料。再者，本發明整體構造簡單，易于流水線生產推廣。

附圖說明

本發明的目的、優點和特點，將通過下面優選實施例的非限制性說明進行圖示和解釋。這些實施例僅是應用本發明技術方案的典型范例，凡采取等同替換或者等效變換而形成的技術方案，均落在本發明要求保護的范圍之內。這些附圖當中，

圖1是柵線變化區域中柵線呈等間距分布的構造示意圖；

圖2是柵線變化區域中柵線呈等差變化分布的構造示意圖。

1柵線變化區域

具體實施方式